美国美光科技(Micron Technology)将上市集多值(MLC:multi level cell)NAND闪存和内存控制电路(内存控制器)于一个封装、存储容量为8GB和16GB的闪存产品。采用34nm工艺技术制造。因内置有内存控制器,所以可简化配备闪存设备的设计。主要面向便携媒体播放器等。
该产品符合该公司加盟的业界团体“ONFI(Open NAND Flash Interface)”规定的NAND闪存接口标准“ONFI 1.0”。另外,还符合ONFI规定的“BA(块抽象)”方式。BA方式的闪存产品配备的控制器主要进行块管理、损耗平衡(Wear Leveling)和纠错码(ECC)处理等。由此消除了主控制器管理闪存的负荷。
封装采用52端子LGA。目前已开始样品供货。美光预定09年下半年上市容量更大的产品。

