美光尔必达不对盘 不利DRAM整并

存储器 中国闪存市场 2009-03-04 09:39

台湾当局宣布DRAM整并架构在即,美光执行副总勒松言(Michael Sadler)昨(3)日表示,尔必达已表达无意加入美光提出的整合架构,双方更没有一起研发30奈米以下先进制程的共识。据了解,美光与尔必达“闹意见”,恐让两大势力成为“双头马车”,不利后续整并案推动。

勒松言强调,即使尔必达拒绝参与美光的计划,美光仍会积极争取整并主导权,并实现无偿释出旗下超过2,500项技术专利的承诺,同时也会有美方技术人员在台长驻,落实“技术扎根台湾”的目标。

对于美光的说法,尔必达合作伙伴力晶昨天不愿回应,强调一切都等台当局公布整并架构再说。

勒松言指出,美光在先进制程上拥有技术优势,例如在78奈米制程上便导入耗电量更低、效率更好的铜制程应用,由于铜制程与传统铝制程转换势必得花费较高的资本支出,加上需采更先进浸润式曝光机,让同业误认美光采用的是“比较花钱的技术”,实则不然。

勒松言说,一旦尔必达进入50奈米制程生产,同样得面临淘汰铝制程进入铜制程的高额机台支出问题,但美光已在78奈米世代便完成投资,且可用至50奈米世代无虞。华亚科与南科8月起就会开始导入美光50奈米制程技术,每单位晶圆产出高达1,500颗以上DRAM晶片颗粒,具成本优势。

勒松言透露,美光在完成整并案规划后,就多次与尔必达接触,希望能一起投入,但尔必达的回应是“没兴趣”。

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