三星周五进行组织结构重整,晶圆代工确定分拆成独立单位,其半导体事业也将从原先存储器与系统LSI双组织结构分拆成三支。
据《韩国先驱报》报道,消息称,三星集团预计最快在本月实施高管重组。三星通常在每年的12月实施重组,任命高管和CEO。然而,在三星卷入了韩国腐败丑闻后,该公司推迟了去年的高管调整。这场腐败丑闻导致韩国总统朴槿惠被弹劾,三星实际掌门人李在镕(Lee Jae-y
由于担心公众不满,三星叫停了旨在为李在镕担任集团首席执行官铺平道路的重组计划。但三星并未放弃其接班人计划,不过采取了更隐秘的方式,废止了大量库存股,帮助巩固李在镕的势力。李在镕因涉嫌行贿2月中旬被拘押。目前,他通过手机有效地管理公司,在探监期间对公司高管“
据ETNEWS报道,三星投资26.4亿美元(3兆韩元)用于华城Fab17工厂生产10nm级的DRAM,预计将在下半年大规模投入生产。三星Fab17工厂是一条混合产线,除生产DRAM,还生产3D NAND和系统半导体芯片。
fudzilla、IBTimes、韩国经济日报报导,三星24日发布MRAM,此种次世代存储器兼具NAND Flash和DRAM的优点,无须电源也能储存资料,而且处理速度极快。三星宣称,MRAM是非挥发性存储器,采用自旋传输科技(Spin-torque tr
三星公布了截止至3月31日的2017年第一季度(1-3月)财报数据,总营收为50.55兆韩元(约合447亿美元),同比增长1.6%,环比下滑5.2%,营业利润达9.9兆韩元(约合87.6亿美元),同比增长48%,环比增长7.4%,净利润7.68兆韩元(约合
据路透社报道,三星电子周四宣布,在评估了股东的提议后,公司决定不采用控股公司结构。
韩媒etnews 18日报导,业界消息称,三星去年开始量产18nmDRAM,目前正研发17nmDRAM,预定今年底完成开发、明年量产。与此同时,三星也成立16nmDRAM开发小组,目标最快2020年量产。相关人士透露,微缩难度高,2020年量产时间可能延后
据业内人士消息称,三星位于韩国平泽(Pyeongtaek)的Fab 18工厂,预计将在Q3出货,其用于生产最新第四代64层3D NAND。据悉,三星平泽Fab 18工厂从2015年5月开始建造,耗资150亿美元,预估初期阶段3D NAND每月Wafer投片
据《韩国先驱报》报道,有行业消息人士周一称,由于被发现存在账目差错,三星电子可能被要求补缴巨额税款。据推测,这笔资金可能高达5000亿韩元(4.377亿美元)。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD(散热器版) 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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