据韩联社报道,三星电子今天发布了第二季度业绩展望。受到芯片业务强劲表现的提振,三星称第二季度营业利润将达14万亿韩元(约合121亿美元),同比增长近72%,创下季度利润新高。
三星7月4日官网宣布,在韩国的平泽工厂产线已经开始生产,并且第一批产品正在出货给客户,该工厂将专注于量产第四代64层V-NAND,增强其在Memory产品上的领导力。
据国外媒体报道,分析师最新的预测表明,在今年的二季度,三星的利润将超过116亿美元,创下历史新高,比同期苹果的利润还要高。对于三星将在未来几周发布的二季度财报,韩国机构的分析师就预计,其在二季度的运营利润将超过116亿美元,而如果考虑到二季度余下时间更大幅
为了巩固其在NAND Flash市场的竞争优势,三星电子今天宣布已经开始大量生产64层256Gb V-NAND,被称为第四代V-NAND,预计到年底每月NAND Flash生产将达到50%以上,不断扩大在服务器、PC和移动设备等领域的应用。
全球半导体厂商对3D NAND Flash的投资丝毫不手软,三星电子(Samsung Electronics)欲维持相同的市场主导权变得不是那么容易。分析师预测,三星应会设法提前导入新一代制程,以确保既有的市场竞争力。
据ETnews报道,三星电子将通过新的TSV技术增加3D-stacked DRAM产量,有望供货给进军AI(人工智能)市场的英特尔和Nvidia。
在NAND Flash技术由2D向3D转换的关键时期,以及为了应对不断增加的市场需求,各家Flash原厂投资动作不断。近日,传三星电子(Samsung Electronics)正考虑在2019年之前斥资10兆韩元(约89.1亿美元),将其大陆西安NAND
三星电子开足马力发展晶圆代工事业,周三(5月24日)誓言要领先群雄,跟台积电一较长短的企图心相当浓厚。
新韩投资(Shinhan Investment Corp)日前发布报告预测,三星今年半导体资本支出将扩增至24.5兆韩元(约合218亿美元),较去年成长85.6%,且将超越2015年的14.7兆韩元成为三星史上新高。
据ETNEWS报道,三星电子平泽Fab 18新工厂建设完工,将在下个月开始运作,用于生产最先进的64层3D NAND,未来将成为三星最大半导体产线,也是三星稳固市场地位的重要生产基地。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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