韩媒BusinessKorea 23日报导,当前三星的系统半导体事业由System LSI部门包办,底下分为四个团队,包括系统单芯片(SoC)团队、负责开发移动处理器,LSI团队、研发显示器驱动芯片和相机传感器;以及晶圆代工团队、晶圆代工支援团队。
BusinessKorea 31日报导,半导体产业透露,三星存储器部门今年初量产18nm制程DRAM,准备在明年下半生产15、16nm DRAM。同时,该公司将拉高18nm DRAM占整体DRAM的生产比重,目标明年下半提高至30~40%。
根据Androidheadlines.com及Business Korea报导,截至第3季,三星已投资14.7兆韩元,因此第4季将再投资12.3兆韩元。
数据显示总营收为47.82万亿韩元(418.7亿美元),同比下降了7.5%,环比下滑6.1%;营业利润为5.2万亿韩元(45.53亿美元),同比下滑29.6%,环比下滑36.1%;净利润为4.54万亿韩元(39.75亿美元),同比下滑16.8%,环比下降2
据韩媒News 1报导,业界传闻三星副会长权五铉下令,年底前必须尽全力提高64层3D NAND Flash生产良率。三星将兴建中的平泽半导体厂产线取名为L18,规划从2017年第2季开始量产第四代64层3D NAND Flash,2017年第4季产能可达6
随着智能型手机主芯片CPU规格不断提升,手机对存储速度和容量的要求也在不断增加。三星今天宣布推出业内首款10nm 级8GB LPDDR4移动DRAM,这款8GB LPDDR4芯片是将4颗最新16Gb颗粒封装在一起,并采用了先进的10nm级制造工艺。
受到Galaxy Note 7退货、回收、停售、停产等影响,10月12日三星报告中指出,截至9月30日的第三季度,三星将营收由原预期的49兆韩元(约432亿美元)下调至47兆韩元(约415亿美元),营业利润则由原预期的7.8兆韩元(约69亿美元)下调至5.
三星电子上周(10月7日)公布了第三财季预期,受停售和停产Note 7的影响,三星10月12日又重新更新了第三季度财报预期。
三星电子7日发布了初步的财报预期,截至9月30日的第三季度,三星营收预计大约49兆韩元(48-50兆韩元),环比下滑3.8%,同比下滑5.2%;营业利润预计约为7.8兆韩元(7.7-7.9兆韩元),环比下滑4.2%,同比增长5.5%,超市场分析师预期。
三星电子在今天宣布推出了最新的基于3D V-NAND 的960 Pro和960 EVO系列SSD,产品形态为M.2。新一代的960系列是PCIe Gen3.0x4的接口,支持NVMe标准,采用了三星最新的3D堆叠V-NAND技术,搭配三星最新的主控技术,大
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星9100 PRO系列SSD(散热器版) 2025-04-18
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
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