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三星 DDR4 DRAM

三星 DDR4 DRAM

种类:内存芯片   品牌:三星
应用领域: 航天国防电信内存条

产品白皮书 文件下载 来源:企业官方网站
三星 DDR4 DRAM 共7个产品
系列容量架构传输速率其他
DDR44Gb512M x 8,256M x 163200 Mbps查看
其他参数关闭
工作温度:-40 ~ 95 °C,0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
DDR44Gb512M x 8,256M x 16,1G x 42666 Mbps,2400 Mbps,2133 Mbps查看
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工作温度:-40 ~ 95 °C,0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
DDR48Gb512M x 16,1G x 8,3200 Mbps查看
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工作温度:-40 ~ 95 °C,0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
DDR48Gb512M x 16,1G x 8 ,2G x 42666 Mbps,2400 Mbps,2133 Mbps查看
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工作温度:-40 ~ 95 °C,0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
DDR416Gb2G x 8,1G x 16,4G x 43200 Mbps查看
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工作温度:-40 ~ 95 °C,0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
DDR416Gb1G x 16,2G x 8 ,2666 Mbps,2400Mbps,2133Mbps查看
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工作温度:-40 ~ 95 °C,0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V
DDR432Gb2G x 16,4G x 8 ,3200 Mbps,2400 Mbps查看
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工作温度:0 ~ 85 °C
工作电压:1.2V

系列概览

业界首创的 1x 纳米工艺技术使 DDR4能够消耗更少,能降低 25%。同时提供更高的性能,降低总体成本。
1.2V 低工作电压和伪开漏 (POD)速度可达3200Mbps。

系列图片

企业介绍

三星一直处于创新的最前沿,致力于钻研创新性技术,不断推出新产品,迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位,而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力,承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。