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据ETnews报道，三星电子将通过新的TSV技术增加3D-stacked DRAM产量，有望供货给进军AI（人工智能）市场的英特尔和Nvidia。

传三星最近向设备供应商订购新型20台热压接合封装机（TCB），这是TSV技术的必要设备。新TCB机台今年底即可就位，预估届时三星TSV制程产能将可增加30倍之多。

三星在2016年就在量产第二代 HBM2（高带宽的内存），现在正在进行HBM3的研发。HBM是3D DRAM技术的一种，采用硅穿孔（Through Silicon Via）技术，将芯片垂直堆栈，由于I/O（输入/输出）通道加宽，传输速度也大幅加快， 

HBM可用于高性能计算（HPC），高级制图和网络系统，以及企业服务器等用途，强大的性能，比现有DRAM极限性能速度还要高出数倍，能够更快速应对高端计算任务，是人工智能和服务器下一代存储器。