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次世代存储器大战开打，英特尔研发3D cross point技术，拟推PRAM。三星电子不甘示弱，发布MRAM(magnetoresistant random access memory、磁阻式随机存取存储器)，号称读写速度比NAND Flash快上一千倍。

fudzilla、IBTimes、韩国经济日报报导，三星24日发布MRAM，此种次世代存储器兼具NAND Flash和DRAM的优点，无须电源也能储存资料，而且处理速度极快。三星宣称，MRAM是非挥发性存储器，采用自旋传输科技(Spin-torque transfer)读写数据，速度比NAND快了一千倍。不仅如此，MRAM更省电，使用时(active)耗电量比传统存储器少，停用时(inactive)更无须用电。

目前次世代存储器包括MRAM、PRAM、ReRAM，其中MRAM速度最快，但是量产难度较高。现在三星只能少量生产，但是预期能尽速克服生产障碍。

三星同时宣布，欧洲大厂恩智浦半导体(NXP Semiconductors)的物联网半导体将采用MRAM，双方签订晶圆代工协定，将量产28nm的全耗尽型绝缘层上硅(FD-SOI)。

IBTimes猜测，倘若三星MRAM量产进展顺利，或许今年下半问世的Galaxy Note 8就会内建MRAM，以便做出市场区隔。MRAM用于智能机可加快处理速度、并更为省电。

DRAM发展快到尽头，磁性存储器(MRAM)和相变存储器(PRAM)是最有潜力的接班人？IBM和三星电子去年宣称，「自旋传输磁性存储器(STT-MRAM)」的研究出现突破，有望加速走上商用之途。

韩媒BusinessKorea 2016年7月11日报导，IBM和三星在电机电子工程师学会(IEEE) 发布研究论文宣称，两家公司携手研发的STT-MRAM的生产技术，成功实现10奈秒(nanosecond)的传输速度和超省电架构，理论上表现超越DRAM。

STT-MRAM藉着改变薄膜内的电子旋转方向、控制电流，表现效能和价格竞争力都优于DRAM。最重要的是，DRAM很难微缩至10nm以下，STT-MRAM则没有此一困扰。业界人士表示，STT-MRAM是次世代存储器中最实际的替代方案，95%的现行DRAM生产设备皆可用于制造STT-MRAM。IBM和三星之外，SK海力士(SK Hynix)和东芝(Toshiba)也协力研发此一技术。

除了STT-MRAM，近来相变存储器(PRAM)也备受瞩目，英特尔的3D Xpoint就包含PRAM技术。PRMA结合DRAM和NAND Flash优点，速度和耐用性提高1千倍，不过目前仍在理论阶段。

2015年7月29日英特尔、美光宣布开发出新世代存储器技术3D Xpoint，储存的资料比DRAM高出十倍，读写速度与耐受度更是NAND存储器的1千倍之多，如此革新的技术让三星电子、SK Hynix大为紧张。3D XPoint类似次世代ReRAM或PRAM科技，能完全改变资料储存的方式，半导体专家相信，自从东芝在1987年首次展示NAND存储器之后，3D XPoint会是这30年间一个相当重要的变革。