上午十点,三星NAND Flash副总裁Kenny Han先生为我们带来了三星闪存解决方案与全球市场的主体演讲。演讲分三个章节进行,存储市场趋势,三星V-NAND介绍以及三星存储方案介绍。
据The Investor报道,8月28日,三星电子副董事长权伍铉(Kwon Oh-hyun)就李在镕被判刑一事向公司员工发表正式声明,呼吁员工继续尽力工作。权伍铉在向员工发布的一份声明中说,“虽然这种不确定性令人遗憾,我们应当不屈不挠地等待,直到真相大白
据彭博社报道,在对李在镕贪腐案长达数月的审理中,这位三星集团继承人、二把手在作证时表示,他没有真正参与公司事务决策过程。这可能有助于李在镕洗脱罪名,但却有损于他作为三星集团管理者的声誉。
传三星电子(Samsung Electronics)与全球智能手机业者,协商提高移动DRAM(Mobile DRAM)价格过程占了上风,将有助于2017年下半的半导体事业获利表现。三星电子这项举动,可望让同为韩国存储器大厂的SK海力士(SK Hynix)跟
传出三星电子(Samsung Electronics)即将对部分中低价位智能型手机业者调涨移动设备DRAM价格,涨幅恐达20%。韩国证券分析师认为,第4季价格调涨,可缩小2018年第1季进入淡季产生的价格跌幅,是一种价格稳定策略。
三星电子宣布推出增加性能的便携式SSD T5(PSSD),采用三星最新64层V-NAND,提供业界领先传输速度和数据安全加密,让消费者可以随时随地访问存储其中的数据。
李在镕因涉嫌向总统朴槿惠和亲信崔顺实行贿被批捕,据独检组方面掌握的情况,李在镕行贿规模达430亿韩元(约合人民币2.6亿元)。此外,李在镕被控诉的罪名还包括涉嫌在国会听证会上作伪证。
三星电子公布了截至2017年6月30日的Q2财务业绩。三星Q2营收61兆韩元,同比增长20%,营业利润达14兆韩元,创历史新高,同比增长73%。
三星宣布正在扩大8GB HBM2的生产量,满足人工智能、HPC(高性能计算),先进图形绘制、网络系统和企业服务器等领域日益增长的市场需求。
三星电子(Samsung Electronics)在北美、中南美、欧洲、东南亚、西南亚、中国大陆、独立国家国协、中东、非洲等9个地区设有海外事业负责人,近期传出北美、欧洲、中国大陆、东南亚、中东地区有新的人事命令,亦即9名海外地区总经理中,将有5名有所调动
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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