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ASML:预计High-NA EUV光刻机2027~2028年用于先进制程大规模量产

编辑:Andy 发布:2025-12-15 10:06

ASML CEO Christophe Fouquet近日在接受媒体采访时称,预计High NA EUV 光刻机将于2027~2028年正式投入先进制程的大规模量产作业中。

新一代High-NA EUV光刻机采用0.55数值孔径镜头与非等倍率光学技术,可将电路尺寸推进至2纳米以下,进一步提升芯片性能。目前英特尔、台积电、三星已开始试验此设备,英特尔支持 High NA EUV 的 Intel 14A 节点将在 2027 年正式推出。

此外,ASML已启动更先进的Hyper NA技术研发,为下一个十年的芯片制造铺路。

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