台积电：2028年开始投入1.4nm超精细制程

台积电在“2025北美技术研讨会”上公开其技术路线图：计划在今年年底进入2nm量产，并正在为明年下半年1.6nm工艺做准备，将于2028年开始投入1.4nm超精细制程。

台积电资深副总裁张文表示，“A14（1.4nm工艺）是基于完整工艺转型的下一代先进硅技术，与N2（2nm工艺）相比，其速度提升高达15%，功耗降低30%，晶体管密度提高1.23倍。”

台积电将把第二代环栅（GAA）结构应用于1.4nm工艺，以提高晶体管性能和功率效率，并通过NanoFlex Pro架构提高设计灵活性。 NanoFlex Pro 是一种架构，允许半导体设计人员微调晶体管配置以实现最佳功率、性能和尺寸 (PPA)。

他补充说，将从2029年开始推出采用背面供电技术的半导体，该技术将电源电路置于晶圆背面，以提高电源效率和性能。

台积电表示，今年计划投入约400亿美元进行资本投资，为长期满足以AI为中心的产品日益增长的需求做好准备。