机构：2025年将有18座新半导体晶圆厂开工建设

SEMI最新报告称，半导体行业预计将在2025年启动18个新晶圆厂建设项目。包括3座200 毫米和15座300 毫米设施，其中大部分预计将于 2026 - 2027 年开始运营。 

按地区划分，美洲和日本是领先地区，各有4 个项目，中国大陆、欧洲及中东地区并列第三，计划建设3个项目，台湾地区计划建设 2 个项目，而韩国和东南亚在 2025 年各有 1 个项目。

SEMI总裁兼首席执行官 Ajit Manocha 表示：“半导体行业已经到达一个关键时刻，投资推动着尖端和主流技术的发展，以满足不断变化的全球需求。生成式人工智能和高性能计算正在推动尖端逻辑和存储领域的进步，而主流节点继续支撑汽车、物联网和电力电子领域的关键应用。”

先进节点引领半导体产业扩张 

预计半导体产能将进一步加速，预计年增长率为6.6%，到 ​​2025 年每月晶圆总量将达到 3360万片 (wpm)**。这一扩张将主要受到高性能计算 (HPC) 应用中前沿逻辑技术的推动，以及生成式 AI 在边缘设备中的日益普及。

半导体行业正在加大力度构建先进的计算能力，以应对大型语言模型 (LLM) 不断增长的计算需求。芯片制造商正在积极扩大先进节点容量（7nm 及以下），预计到 2025 年，先进节点容量将以行业领先的 16% 的年增长率增长，每分钟传输速度将增加 30 多万次，达到每分钟传输速度的 220 万次。

受中国芯片自给自足战略以及汽车和物联网应用预期需求的推动，主流节点（8nm~45nm）预计将再增加6%的容量，并在2025年突破1500万wpm的里程碑。

成熟技术节点（50nm 及以上）的扩张较为保守，反映出市场复苏缓慢且利用率较低。预计该部分将增长5%，到 2025 年达到 1400 万 wpm。

晶圆代工部门产能继续强劲增长 

预计代工厂供应商将继续成为半导体设备采购的领导者。代工厂部门的产能预计将同比增长10.9%，从 2024 年的 1130 万 wpm 增至 2025 年创纪录的 1260 万 wpm。

整体存储领域显示出可观的容量扩张，2024年温和增长 3.5%，2025年将增长 2.9%。然而，强劲的生成式 AI 需求正在推动存储市场发生重大变化。高带宽内存 (HBM) 正在经历显著的增长，导致 DRAM 和 NAND 闪存领域之间的容量增长趋势出现分​​歧。DRAM领域预计将保持强劲增长，预计到 2025年将同比增长约 7%，达到 450 万 wpm；3D NAND 的安装容量预计将增长 5%，在同一时期达到 370 万 wpm。