SK海力士推动无锡工厂向“1a DRAM”转型

据韩媒报道，SK海力士25日在2023年第四季度电话会议上表示，无锡工厂最终将通过1a纳米转换实现DDR5和LPDDR5等产品的量产，并计划扩大该工厂的利用率。

1a DRAM是第四代10纳米DRAM，是属于比较先进工艺的DRAM。SK海力士正在将先进的半导体制造技术EUV（极紫外）工艺应用于从1a DRAM开始。

SK海力士无锡工厂主要生产落后1a DRAM一两代的传统产品。尽管已经到了向先进工艺过渡的时候，但美国政府已从2022年10月开始禁止向中国出口18纳米工艺以下的DRAM制造先进设备技术。2019年起EUV设备也不能出口到中国。

去年下半年，SK海力士被美国政府指定为“经过验证的最终用户（VEU）”，允许例外引进设备。EUV设备仍不允许进口，但可以选择仅在国内加工EUV工艺等替代方案。

SK海力士表示，“与过去不同，我们将重点关注转换投资和工艺效率，而不是增加产能的投资。根据这一政策，我们将利用韩国M15和M16内的闲置空间，并推动无锡1a DRAM技术转换。”