三星电子：西安工厂从128层工艺转为236层，明年初开始更换设备

据韩媒报道，业内人士2日透露，三星电子决定将其中国西安工厂从128层工艺转为236层工艺，并决定明年初开始更换设备，已通知了相关行业，其目标是到 2025 年过渡到流程。

三星电子此前已开始转换平泽第一工厂 (P1) 的 NAND 工艺。P1也生产128层NAND，但决定改为236层NAND。由于经济不景气，128层NAND库存堆积，因此决定减少旧产品的产量，供应未来需求旺盛的236层NAND。

NAND闪存单元的数量就是堆叠的单元数量，数量越多，容量越大。截至目前，236层NAND是三星电子最先进的NAND。三星电子计划明年初量产约300层的下一代NAND（V9），但236层是最新的商业化产品。

西安工厂是三星的关键工厂，约占三星NAND产量的40%。然而，由于市场状况恶化，128层NAND生产得越多，库存就越多。对于三星电子来说，改用西安工艺迫在眉睫，但美国的设备法规是一个障碍。今年10月美国政府最终决定向三星电子和SK海力士的中国工厂供应美国半导体设备，无需任何单独的许可程序或截止日期。在被指定为“经过验证的最终用户（VEU）”并能够不受限制地引进设备后，三星决定改用西安前端流程。

业内人士表示，由于内部 NAND 需求没有增加，三星电子对新投资感到担忧，但有报道称，三星电子决定转向 236 层是必要的，以维持适当的 NAND 库存。

三星相关人士表示，“即使我们改用236层NAND，我们也有通过升级部分部件而不是更换整个设备来最大限度地减少更换的优势。NAND比DRAM更萧条，但对尖端 NAND 的需求强劲。这是考虑到需求持续增长的事实。”

西安工厂的转产预计将对NAND库存的减少产生重大影响。这是因为它是三星最大的NAND闪存生产工厂，目前128层产品的库存最高。在工艺转换过程中，必须安装或更换一些设备，导致无法正常运行，导致产量下降。

三星电子西安工厂将生产多少236层的具体产能（CAPA）尚未确定。看来生产堆叠数约为 300 层的 V9 的可能性也在考虑之中。

三星电子一位官员表示，NAND需求的变化很重要，目前尚未确认是否完全转换为236层。

这被解读为，该公司将专注于236层NAND生产，但将根据工艺转换和市场情况变化灵活应对下一代NAND生产的引入。