编辑:Mavis 发布:2023-09-12 10:30
据韩媒报道,三星、SK海力士为了掌握快速成长的HBM市场,将大幅革新新一代产品制程技术,预计2026年量产新一代HBM产品,HBM4。
从2013年第一代HBM到即将推出的第五代HBM3E,I/O接口数为每颗芯片1,024个,拥有超过2,000个以上I/O接口的HBM尚未问世。
不过,随着I/O接口数增加,制程难度也将拉高。据悉,两家业者对自身接近100%的HBM良率皆充满自信,目标通过革新技术巩固市场主导地位。
市调机构预测2023年HBM市场年成长率约为50%,近期直接上调至100%以上,且预测2024年成长率也将超过100%。
得益于先占HBM事业,据CFM闪存市场数据,得益于先占HBM事业,SK海力士2023年第2季DRAM市占率季增7.9个百分点,达32.2%;三星则季减4.6个百分点,从42.7%下降到38.1%,两者差距也从18.4%缩小到5.9%。
不过,三星将开始向大客户AMD和NVIDIA供应HBM3,更传NVIDIA韩国分公司开始招聘生产管理职,并明示职务相关合作企业为三星。业界预期三星将于2023年第3季末结束NVIDIA的HBM3验证流程,并自第4季正式供应产品。
在HBM市场的快速成长下,三星、SK海力士准备将2024年HBM产能提高至2倍以上,预计两家业者的HBM竞争也将更加激烈。
存储原厂 |
三星电子 | 68900 | KRW | -3.50% |
SK海力士 | 258000 | KRW | -5.67% |
铠侠 | 2424 | JPY | -2.18% |
美光科技 | 104.880 | USD | -3.90% |
西部数据 | 76.550 | USD | -2.72% |
闪迪 | 41.330 | USD | -3.70% |
南亚科技 | 44.45 | TWD | -0.22% |
华邦电子 | 17.60 | TWD | +1.44% |
主控厂商 |
群联电子 | 525 | TWD | -0.94% |
慧荣科技 | 76.420 | USD | -0.16% |
联芸科技 | 43.24 | CNY | -1.39% |
点序 | 51.9 | TWD | +0.58% |
品牌/模组 |
江波龙 | 87.86 | CNY | -1.59% |
希捷科技 | 154.810 | USD | -1.40% |
宜鼎国际 | 226.5 | TWD | -0.22% |
创见资讯 | 93.6 | TWD | -1.06% |
威刚科技 | 91.8 | TWD | +0.55% |
世迈科技 | 22.810 | USD | -3.22% |
朗科科技 | 23.80 | CNY | -1.24% |
佰维存储 | 63.50 | CNY | -0.11% |
德明利 | 87.93 | CNY | +2.90% |
大为股份 | 16.85 | CNY | -2.43% |
封测厂商 |
华泰电子 | 39.45 | TWD | +0.90% |
力成 | 123.5 | TWD | -1.98% |
长电科技 | 34.54 | CNY | -1.51% |
日月光 | 152.5 | TWD | 0.00% |
通富微电 | 27.13 | CNY | -3.52% |
华天科技 | 9.91 | CNY | -1.10% |
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