2nm研发获重大突破!台积电将于2023-2024年切入GAA技术

半导体 网络 AVA 2020-07-13 11:33

据台媒报道,台积电冲刺先进制程,在2nm研发取得重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,简称GAA)技术。

此前三星曾表示将在3nm率先导入GAA技术,并表示2030年将超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位。

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产,业界推断台积电2nm推出时间将在2023年到2024年间。

台积电今年4月曾表示,3nm仍会沿用FinFET(鳍式场效应晶体管)技术,主要考虑是客户在导入5nm制程后,采用同样的设计即可导入3nm制程,可以持续带给客户有成本竞争力、效能表现佳的产品。

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