编辑:AVA 发布:2020-01-14 14:09
2019年DRAM原厂技术已进入1Znm,且各家又扩展了三代DRAM,被称为1anm、1bnm和1cnm,其中1anm DRAM或将于2021年推出。
那么,1Znm之后的DRAM技术是否导入EUV工艺成为企业的重点考虑问题,也将是拉开技术差距的重要节点。
在EUV技术中,采用的光波长仅为13.5nm,比ArF(193 nm)短14倍,因此能够将图案分辨率降低到10nm以下,所以DRAM三大原厂三星、美光和SK海力士正在讨论EUV导入制程中的时间点。
其中三星在2019年3月开发出第三代10nm级(1Znm)工艺DRAM,传已在制造中整合了EUV极紫外光刻技术。SK海力士正在新工厂内建置EUV设备,下半年可完工,并评估导入EUV量产1anm级DRAM的时间。
美光科技在2019年不仅已开始大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品,1Znm DDR5产品也已经送样。根据美光DRAM技术规划,下一代微细化工艺技术被命名为1α,1β和1γnm。据韩国媒体称,美光推迟了EUV的导入,可能推迟至1γnm技术之后,时间表暂不确定。
美光DRAM产品工程高级总监Debra Bell曾表示,未来几年来我们的发展很清晰,也还有其他想法,正在讨论并对此进行评估。
在NAND Flash领域,10nm是2D技术量产的极限,尚未突破10nm各家原厂就纷纷转向了3D架构,目前三星、SK海力士已公开宣布量产128层3D NAND;在逻辑芯片制造领域,以台积电和三星为代表,已经引入EUV技术,其中台积电5nm将在2020上半年量产,且正在研发3nm技术及更先进的技术。
在DRAM领域,全球三大DRAM原厂要突破10nm物理极限,必须导入EUV工艺,全球最大芯片光刻设备厂商ASML表示,逻辑芯片已导入EUV设备,下一波将是DRAM客户积极准备EUV导入量产阶段,推动EUV需求不断增加。
目前DRAM现状是,随着5G网络快速发展,从2019下半年开始,数据中心、企业级领域配置的存储需求逐渐转强,再加上部分原厂在2019上半年减产的缘故,导致DRAM价格在年底涨价,且涨势延续到2020年初。
就目前DRAM原厂的规划,由于手机内嵌LPDDR容量升级较NAND Flash没那么快,所以原厂均将新工厂扩产的主力集中在NAND Flash上,DRAM扩产动作并不明显,所以DRAM主要是依赖技术升级来提高产量。目前DRAM市场排名依次是三星、SK海力士、美光,若三星和SK海力士充分利用EUV工艺量产,对美光而言将不利,差距恐进一步扩大。
存储原厂 |
三星电子 | 59100 | KRW | +2.25% |
SK海力士 | 224500 | KRW | +3.22% |
铠侠 | 2165 | JPY | +2.32% |
美光科技 | 106.290 | USD | +2.94% |
西部数据 | 55.050 | USD | +1.14% |
闪迪 | 39.120 | USD | -1.76% |
南亚科技 | 52.0 | TWD | -0.95% |
华邦电子 | 18.35 | TWD | +1.38% |
主控厂商 |
群联电子 | 535 | TWD | +0.94% |
慧荣科技 | 66.480 | USD | +1.28% |
联芸科技 | 38.46 | CNY | +0.42% |
点序 | 64.7 | TWD | +9.85% |
品牌/模组 |
江波龙 | 73.47 | CNY | +1.48% |
希捷科技 | 127.700 | USD | +0.05% |
宜鼎国际 | 244.5 | TWD | +2.95% |
创见资讯 | 105.5 | TWD | +1.93% |
威刚科技 | 99.0 | TWD | +5.66% |
世迈科技 | 19.050 | USD | 0.00% |
朗科科技 | 22.51 | CNY | -0.18% |
佰维存储 | 61.96 | CNY | +0.47% |
德明利 | 119.26 | CNY | -2.94% |
大为股份 | 16.49 | CNY | +10.01% |
封测厂商 |
华泰电子 | 40.40 | TWD | -1.22% |
力成 | 125.0 | TWD | +4.17% |
长电科技 | 32.94 | CNY | -0.24% |
日月光 | 139.0 | TWD | -0.36% |
通富微电 | 23.87 | CNY | -0.42% |
华天科技 | 8.94 | CNY | +0.11% |
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