兆易创新：首款DRAM芯片2021完成验证并量产

此前，兆易创新发布非公开发行A股股票预案，公司拟非公开定向募资不超过43亿元，用于DRAM芯片研发及产业化以及补充流动资金。27日兆易创新在此次非公开发行A股股票申请文件的反馈意见的回复中，透露了具体规划。

表中可知，兆易创新DRAM芯片2021年完成客户验证并量产。

兆易创新披露，公司Flash芯片的下游客户与DRAM芯片的下游客户重合度较高。

对首款芯片试样片进行封装测试，后送至系统芯片商处进行功能性认证，认证完毕后送至客户进行系统级验证，包含功能测试、压力测试、烧机验证等，通过所有验证后完成客户验证，验证完成后进行小批量产，实施时间预计在2021年。

另外，兆易创新表示，公司拟通过本项目，研发1Xnm级（19nm、17nm）工艺制程下的DRAM技术，设计和开发DDR3、LPDDR3、DDR4、LPDDR4系列DRAM芯片。本项目的成功实施，有助于公司丰富自身产品线，有效整合产业资源，巩固并提高公司的市场地位和综合竞争力。