2015年PC需求若降温 恐掀价格战

半导体 中国闪存市场 Helan 2015-02-25 15:00
2014年PC需求带动全球半导体市场成长,然据韩国亚洲经济报导,2014年PC DRAM需求超乎预期,2015年将慢慢恢复原貌,恐将冲击半导体业界。一旦出现需求不平衡,势必将加剧业者间的价格竞争,甚至可能再出现流血竞争。
2014年PC DRAM需求高涨,带动存储器晶片市场成长,2014年DRAM需求估计年增115亿GB。其中Mobile DRAM需求从68亿GB增加到68.6亿GB,伺服器DRAM从14亿GB增加到18亿GB,PC DRAM从3.5亿Gb增加到15.1亿GB,以PC DRAM的需求成长幅度最大。
原本预估需求偏低的PC DRAM,成长幅度超乎预期,使整体DRAM市场呈现荣景,让半导体业者销售畅旺。其中又以韩系半导体大厂SK海力士(SK Hynix)最为受惠。
DRAM市占霸主三星电子(Samsung Electronics)将火力集中在获利性较高的Mobile DRAM和伺服器DRAM,SK海力士则扩大销售PC DRAM。SK海力士2014年年度营业利益为5.1兆韩元(约45亿美元),刷新最高纪录。
韩国业界部分专家认为,2014年导致PC DRAM需求攀升的变动,2015年恐难持续。
然而,半导体业界却持续执行DRAM设备投资。三星将S3产线转为DRAM生产用途、SK海力士生产DRAM的M14产线正在建构中、美光(Micron)也扩大DRAM设备投资。2014年全球DRAM设备投资增加率为74%,2015年将再增加约22%。
虽然这些半导体厂计划减少供货以拉起价格防线,若下半年供需失衡,将无法排除削价竞争的可能性。2014年因PC DRAM需求升温而受惠的半导体厂,2015年业绩恐受到冲击。
此外,DRAM市占第一的三星和排名第二、三名的SK海力士及美光,DRAM技术差距将扩大,使后起业者受到冲击。
三星电子2014年率先量产采20纳米制程的Mobile DRAM、PC DRAM、伺服器DRAM。三星表示,3月及9月预计推出的Galaxy S6、与新一代iPhone ,都将搭载20纳米DRAM。
SK海力士和美光目前仍未研发出20纳米制程技术。SK海力士计划2015年上半采20纳米级制程生产DRAM,年底生产20纳米DRAM。美光则致力于将29纳米制程转进25纳米制程。
三星若专攻高阶DRAM市场,SK海力士和美光可能以中低阶市场为主要进攻目标,导致后起业者的获利转差。
韩国业者表示,2014年PC DRAM需求超乎期待,让所有DRAM业者创造亮眼的成绩,然若2015年供需不平衡,将难再期待出现如2014年的好业绩,且无法排除半导体业界出现削价竞争的可能性。

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