长江存储最新消息

6月20日上午,以长江存储二期厂房为施工主体的国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。

闪存市场消息,长江存储自有品牌的固态硬盘预计将在三季度上市。

5月14日,国科微与长江存储在湖南长沙正式签署长期供货协议,国科微董事长向平、存储事业群总裁康毅,长江存储首席执行官杨士宁、市场与销售高级副总裁龚翊共同出席此次签约仪式。

长江存储科技有限责任公司宣布其128层QLC 3D NAND 闪存(型号: X2-6070)研发成功,并已在多家控制器厂商SSD等终端存储产品上通过验证。

长江存储现阶段要立足于国内,把重点放在消费类SSD和手机嵌入式产品市场,以后会陆续拓展到PC OEM和数据中心等市场,同时针对海外市场也有相关计划,目前已经有国际大厂在合作和验证中。

紫光集团旗下长江存储科技有限责任公司宣布,将在其第三代3D NAND闪存中应用Xtacking2.0技术。

紫光集团旗下长江存储科技宣布,公司已开始量产基于Xtacking®架构的64层256Gb TLC 3D NAND闪存,以满足固态硬盘、嵌入式存储等主流市场应用需求。

在今天开幕的2019中国国际智能产业博览会上,紫光集团首次公开展示了长江存储64层NAND Flash Wafer。据介绍,这是旗下长江存储第二代64层3D NAND,也是业内存储密度最高的64层3D NAND芯片,每片晶圆可以切割出超过1000颗裸芯片。

国家存储器基地项目(一期)二阶段工程项目中低压配电系统日前已受电成功,终端机台的电力供给得到保证,芯片的目标量产指日可待。

在GSA会议上,长江存储将在2019年8月正式推出Xtacking 2.0技术,或将导入128层3D NAND,合肥长鑫DRAM亦进展顺利。

如果长江存储能够在今年年底成功批量生产64层NAND Flash,那么与三星的技术差距将大幅缩小至两年左右。

日经新闻报导,长江存储联席首席技术官程卫华表示,该公司生产如期推进,和全球供应商的合作关系一切正常。

继32层3D NAND于2018年底前投入量产,业界人士透露长江存储Xtacking™架构的64层NAND样品已经送至合作伙伴进行测试,读写质量大致稳定,预计最快将在2019年第3季投产。

NAND Flash产业的新晋者长江存储CEO杨士宁也亮相峰会,并发表了《创新Xtacking™架构释放3D NAND潜能》主题演讲,峰会当天吸引了1500多名参会观众,盛况空前。

昨日,从国家税务总局武汉东湖新技术开发区税务局获悉,启动办理增值税留抵退税两个月来,东湖高新区为企业办理增值税留抵退税超10亿元,其中集成电路企业留抵退税近5亿元。

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