韩国当地时间6月1日上午，SK海力士韩国清州第四园区发生气体室火灾，并伴随有毒气体氟化氢（HF）泄漏。现场泄漏浓度约为5ppm，超出安全标准。事故造成至少7人送医治疗，厂区约3600名员工一度被紧急疏散。SK海力士官方回应称，火势已被自动喷淋系统迅速控制，工厂的生产设备运行未受影响，不会使生产中断；目前SK海力士正在调查事故发生的确切原因。

据韩媒引述业内人士消息称，SK海力士管理层和员工预计最早将于本月（6月）开始今年的薪资谈判。由于 SK 海力士去年通过重组绩效奖金制度已基本解决了关键问题，预计今年的谈判可能会集中在工资增长和福利制度的改善上。报道称，SK海力士员工强烈要求扩大住房基金支持。SK海力士目前提供最高1亿韩元的住房贷款项目。虽然年利率均为1.5%，但贷款额度有所不同。还款方式为一年宽限期，之后15年等额偿还本金。

Anthropic已完成总额为650亿美元的H轮融资，由阿尔蒂米特资本（Altimeter Capital）、德拉戈尼尔投资（Dragoneer）、格林奥克斯资本（Greenoaks）和红杉资本领投，投后估值达到9650亿美元，超越了其竞争对手OpenAI。美光、三星和SK海力士也参与了Anthropic的这轮融资。

据朝鲜日报援引业内人士透露，SK海力士近期收到了来自Alphabet、微软和Meta的内存半导体工厂投资支持提案，承诺提供数万亿韩元（约百亿美元）的资金支持，用于建设晶圆厂和购买EUV光刻设备。然而，据称管理层并未认真考虑这一方案。如果由特定的大型科技公司出资建厂，将会形成包含独家供货义务的合同结构。据悉，SK海力士婉拒了这些提议，同时将其作为长期供货合同的筹码。业内人士解读，这意味着SK海力士将要求更高的预付款、五年或更长时间的超长期合同以及价格下限保障条款。该策略旨在将大型科技公司带来的资金转化为更有利的合同条款，而不是转化为工厂股权。

香农芯创在业绩说明会上表示，2026年，存储芯片供需紧张的局面难以缓解，存储芯片价格预计维持在高位水平。公司与SK海力士是长期合作伙伴，代理权稳定。企业级SSD量产方面，目前已经和国内主流算力设备厂商完成验证对接并取得了规模销售，进展顺利。海普存储是公司自研产品品牌，受益于行业景气度，预计2026年海普存储的收入会有显著增长。

据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球NAND Flash市场规模428.15亿美元，企业级SSD需求倍增并仍在加速，尽管消费类需求现疲软迹象，但不改整体供不应求的局面，1Q26 NAND ASP环比大增，推动一季度全球NAND Flash市场规模环比续增81.8%。具体来看，三星市场份额29.7%，排名第一；SK海力士市场份额17.6%，排名第二；铠侠市场份额14.9%，排名第三；闪迪市场份额13.9%，排名第四；美光市场份额11.7%，排名第五。

据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球DRAM市场规模943.25亿美元，环比增长81.5%。数据中心需求激增已导致DRAM供应紧张，HBM占据大部分产能进一步挤占其他DRAM供给，推动Q1 DDR/LPDDR产品ASP大幅上涨，目前通用型DDR利润率已超过HBM。具体来看，三星市场份额为40.5%，SK海力士市占29.6%，美光市占19.9%，长鑫存储市占7.7%，南亚科技市占1.6%，华邦电子市占0.6%。

SK 海力士今日股价一度上涨超11%，成为亚洲第三家市值突破 1 万亿美元的企业；三星电子本月稍早晋升 1 万亿美元俱乐部。

SK海力士26日宣布发布“iHBM”技术。该技术通过在HBM封装内集成一体化冷却元件“ICE*”，显著降低产品运行时的发热量。iHBM技术的特点在于从结构层面根本性解决上述散热难题。传统HBM依赖热量经由核心芯片（Core Die）向外传导的间接散热方式。iHBM的核心在于，直接在热量最为集中的D2D PHY区域内嵌入热控元件（ICE），构建专用热量排出通道（Heat Path）。相较传统方案，热阻（Thermal Resistance）降低30%以上，同时确保产品在高温、高负载环境下的稳定运行特性。

ASML CEO傅恪礼近日正式宣布，首批采用新一代高数值孔径（High-NA）EUV光刻机制造的芯片产品将在未来数月内问世，覆盖逻辑芯片与存储芯片两大核心领域。英特尔积极采购High-NA EUV光刻机，并已在波特兰工厂完成两台High-NA EUV光刻机的安装，累计处理超过3万片晶圆，目标在2027至2028年实现14A制程大规模量产。SK海力士也明确表示计划采用该新技术，预计今年首次导入，用于下一代DRAM内存的生产。