据CFM闪存市场数据显示，1Q26全球DRAM市场规模943.25亿美元，环比增长81.5%。数据中心需求激增已导致DRAM供应紧张，HBM占据大部分产能进一步挤占其他DRAM供给，推动Q1 DDR/LPDDR产品ASP大幅上涨，目前通用型DDR利润率已超过HBM。具体来看，三星市场份额为40.5%，SK海力士市占29.6%，美光市占19.9%，长鑫存储市占7.7%，南亚科技市占1.6%，华邦电子市占0.6%。

据媒体报道，海盗船（Corsair）在其Vengeance DDR5内存模组中，首次采用了中国长鑫存储（CXMT）的DRAM颗粒。据悉，Corsair通常从美光科技采购芯片。而这款Corsair内存条型号为“CMK5X16G3E60C36A2”，是一款16GB的Vengeance DDR5-6000内存条。它支持DDR5-6000频率，读写速度为6000 MT/s，时序为CL36，工作电压为1.35V，并支持EXPO和XMP。

近日，美国国会两党参议员联合提出《MATCH法案》，拟对中国半导体产业升级出口管制。对华为、中芯国际、长江存储、长鑫存储、华虹半导体5家中国核心半导体企业，实施近乎全面的先进晶圆制造设备（WFE）出口禁令，覆盖DUV光刻机、刻蚀机等关键设备。此次新提案并未新增管制品类，核心是彻底改变了设备出口的许可审批逻辑。此外，法案封堵了中间商中转采购的漏洞，管制覆盖设备全生命周期的交易、使用、再出口与维护，涉事主体将失去设备采购与维护资格。法案还设置75%阈值校准机制。若中国某类设备本土供给满足75%市场需求，美方将解除对应管制，仅在保有战略主动权的领域实施限制。法案若正式落地，中国芯片企业将失去为成熟制程产线采购相关先进设备，并将其转用于先进制程研发量产的渠道。法案的最终影响取决于国会立法进程。

兆易创新近日发布公告，公司及控股子公司2026年度拟向长鑫科技集团股份有限公司及其控股子公司（含长鑫存储技术、长鑫科技（合肥）等）采购代工生产的DRAM相关产品，预计交易额度为8.25亿美元，折合人民币约57.11亿元。此举标志着双方在DRAM领域的战略合作进一步深化。

当地时间2月13日，美国国防部发布最新的“中国军事企业清单”（CMC清单或1260H清单）。清单显示，长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）已正式被移出，阿里巴巴、百度、比亚迪等各领域龙头企业被新增列入。长江存储早在2024年便成为首批被列入1260H清单的中国NAND厂商，长鑫存储则于2025年初被纳入。移出1260H清单并不意味着完全松绑，国产存储企业仍面临诸多约束。需注意的是，美国联邦公报在清单文件发布不到一小时内撤回该份清单文件，但表示公众直至2026年2月17日下班前可通过官方邮箱申请获取原文，文件仍处于公开审查状态，合规风险并未消除。

据外媒报道，业界消息称因全球内存供应短缺与价格高涨，惠普、戴尔、宏碁、华硕等主要PC厂商首次考虑采购中国产内存芯片。惠普与戴尔已启动对中国长鑫存储（CXMT）DRAM产品的认证流程。若供应紧张持续，惠普或于今年年中采购非美市场芯片。

长鑫存储产品（合肥）有限公司日前发生工商变更，注册资本从56.61亿元增加到66.61亿元，增幅约为 17.67%。资料显示，长鑫存储产品（合肥）有限公司成立于2022年11月，法定代表人为赵纶，由长鑫科技集团股份有限公司全资持股。

上交所官网显示，长鑫科技集团股份有限公司（简称：长鑫科技/长鑫存储）科创板IPO申请获受理，且已预先审阅。长鑫存储拟募资295亿元，用于存储器晶圆制造量产线技术升级改造项目、DRAM存储器技术升级项目以及动态随机存取存储器前瞻技术研究与开发项目。

长鑫存储近日发布最新的DDR5产品系列：最高速率达8000Mbps，最高颗粒容量24Gb，并推出UDIMM、SODIMM、CUDIMM、CSODIMM、RDIMM、MRDIMM、TFF MRDIMM等七大模组及新型产品，覆盖服务器、工作站及个人电脑等全场景领域，满足各领域的高端市场需求。

2025年10月，长鑫存储在IEEE 2025 ASICON会议上分享了LPDDR5X产品的最新进展。目前长鑫存储LPDDR5X的产品阵容包括颗粒、芯片及模组等形态。其中颗粒包括12Gb和16Gb两个容量点。芯片形态提供了覆盖12GB、16GB、24GB等多个容量点的解决方案。模组形态的LPCAMM产品容量为16GB和32GB。LPDDR5X产品的速率覆盖了8533Mbps、9600Mbps、10677Mbps，同时兼容LPDDR5。目前8533Mbps和9600Mbps速率的LPDDR5X产品已于今年5月量产，10677Mbps速率的产品已经启动客户送样。