据韩国媒体报道，苹果近期考虑将长鑫存储纳入其供应链，计划通过此举缓解下一代iPhone及智能设备的制造成本压力。然而，双方在移动DRAM（如LPDDR5X）的降价谈判中陷入僵局。面对苹果的压价诉求，长鑫存储予以拒绝，并表态其内存采购报价将坚持与三星电子和SK海力士相近或更高。

据业界消息，惠普、华硕、宏碁等多家大型PC制造商已于年中完成了长鑫存储DRAM的认证流程，并已开始在笔记本电脑中小规模应用；目前这些PC厂商采用长鑫存储芯片的数量及搭载这些芯片的笔记本电脑型号仍非常有限，且主要在非美国市场销售。另有消息称，部分PC厂商已获得额外的CPU供应，目前正竞相锁定更多存储芯片以与之配套，这使得他们对包括长鑫存储在内的任何可用供应商都抱持更加开放的态度。

据媒体援引知情人士消息，长鑫存储正考虑在北京亦庄产业园建设一座新的12英寸晶圆厂。消息人士还表示，长鑫存储正在与北京经济技术开发区就投资和融资计划进行磋商，寻求至少6000万元人民币的资金支持。据悉，其他一些国有科技企业也表达了参与投资的意愿。需注意的是，谈判仍处于早期阶段，融资方案的具体规模和结构均可能调整。

近日，长鑫存储技术有限公司发生工商变更，注册资本由约238.9亿人民币增至约313.9亿人民币，增幅约31%。长鑫存储由长鑫科技集团股份有限公司全资持股。

据媒体援引业内人士消息，长鑫存储的LPDDR6已接近研发验证尾声，这是量产前的重要一步。据悉，长鑫首款LPDDR6产品的设计规格速率为12800 Mbps，与SoC协同的运行基础速率为10667Mbps，颗粒容量16Gb，采用1295 Ball的POP封装，在低功耗设计、RAS功能比LPDDR5X产品有明显优化提升。今年3月，长鑫存储已将LPDDR6样品送至核心客户，并有望于2026年下半年实现全球首发量产导入。

据外媒报道，国内某国资背景企业已正式开始量产自主研发的浸没式深紫外（DUV）光刻机，标志着中国在关键芯片制造设备领域取得重大突破。该设备主攻28纳米浸没式DUV技术，整机国产化率超过85%，核心子系统均实现自研。量产计划方面，预计2026年内生产约5台，2027年将产能提升至约20台。首批设备将于今年8月起陆续交付给中芯国际、华虹半导体和长鑫存储等国内头部晶圆制造商，初期将主要用于产线测试与工艺验证。

据外媒报道，苹果已向政府官员提出请求，希望获准在美国以外地区销售的设备中，使用长鑫存储和长江存储的存储芯片。然而，美光科技则积极游说反对上述请求。其高管警告称，允许美国科技企业向中国生产商采购，无论最终产品在何处销售，都将损害美国本土制造业的发展。

技嘉宣布其全系列 DDR5 主板现已支持基于长鑫存储 (CXMT) DRAM Die 的内存模组。其中，技嘉的英特尔 800 和 700 系列主板已在出厂 BIOS 中提供了对长鑫 DDR5 的支持，无需更新；对于 AMD 800 和 600 系列主板而言，随着 AGESA 1.3.0.1c 和技嘉自主优化技术的同步推出，这批主板也可以最高 8200MT/s 的传输速率运行基于长鑫 16Gb / 24Gb Die 的 DDR5 内存条。

据媒体报道，长鑫存储正在为DDR6提前布局供应链，已引入新的封装基板及导线架供应商海成DS（Haesung DS），考虑改用可支持多层设计的面板级制程，以取代DDR4、DDR5使用的卷对卷生产方式，应对DDR6多层设计的更高要求。据悉，长鑫的LPDDR6芯片已进入送样阶段，有望在2026年下半年实现全球首发量产，速率达12.8Gbps，直接对标三星和SK海力士的旗舰产品。

据台媒援引PC供应链消息，2026年下半年存储价格涨幅虽有所收敛，但整体价格仍持续走高。PC品牌厂商虽将新增成本转嫁至消费者，销量受一定压制但影响程度尚未触及临界点。当前品牌厂仍在积极寻求内存货源，长鑫科技已成为重要供应方。供应链透露，各家品牌均已与长鑫科技完成产品测试，但能否实际获得供货则取决于优先次序。大型PC品牌如戴尔、惠普、联想及苹果将享有优先拿货权，其余品牌需凭各自资源争取，小型厂商基本无缘获得产能。据悉，长鑫科技的在手订单已排至2027年底。