据媒体报道,美光科技近日举办了 2026 年技术网络研讨会,公布其AI存储路线图。DRAM方面,美光已将1δ(1-Delta)定位为1γ技术的后续产品,且其DDR6和LPDDR6都基于即将推出的1δ DRAM节点,其中DDR6的带宽是DDR5的两倍,而LPDDR6的能效提高了35%。此外,美光科技已在规划HBM5、HBM5E和HBM6技术,同时还将开发vHBM和vEIM。NAND方面,美光正在研发其G11。G11将采用晶圆级键合技术,拥有超过400层的厚度以及业界领先的单元间距。G11 NAND预计将于2027年下半年实现量产。从理论上讲,G11 NAND的位密度将是G9 NAND的约2倍,IO速度将提升1.5倍,每次数据传输的效率将提高25%以上。