三星发布zHBM和zNAND-O概念模型以及400多层的V10 BV-NAND

存储器 2026-08-05 09:41

三星在FMS 2026上,发布了业界首款zHBM和zNAND-O概念模型。据介绍,zHBM 专为高级 AI 计算而设计,将 HBM​​ 垂直堆叠在 AI 加速器正上方,突破了 HBM 与处理器并排放置的传统设计。其存储密度可达到 HBM5 的十倍以上,同时能效提高三倍,热阻降低一半以上,最大限度地提高高容量、高带宽系统的稳定性和能效。三星还推出了基于其V-NAND技术的下一代高性能NAND解决方案zNAND-O,目前正在开发四层和八层版本。此外,三星发布了采用全新键合式V-NAND架构的超400层的V10 BV-NAND闪存,存储密度比上一代产品(V9)提高了约 58%。

简讯快报

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