传SK海力士下代 NAND 闪存导入混合键合,堆叠层数 300+ 级别

存储器 2025-12-09 18:32

据韩国经济日报报道,SK 海力士将在其下一代 (V10) NAND 闪存中首次应用混合键合技术,而 V10 产品的堆叠层数将在 300+ 级别。

简讯快报

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