三星电子最新财报显示，2025年第三季度（7-9月）营收为86.1万亿韩元(约合605.4亿美元)，环比增长15%，同比增长9%；经营利润12.2万亿韩元(约合85.8亿美元)，环比增长159.6% ，同比增长32.6%；净利润12.2万亿韩元(约合85.8亿美元)，环比增长139.2%，同比增长20.8%。

数据来源：三星电子，图表制作：CFM闪存市场

三星电子Q3存储营收为26.7万亿韩元(约合187.7亿美元)，环比增长26%，同比增长20%。存储业务所在的DS部门Q3营收33.1万亿韩元(约合232.7亿美元)，环比增长19%，同比增长13%，经营利润7万亿韩元(约合49.2亿美元)，环比增长1650%，同比增长79.5%。产品价格上涨以及库存价值调整等一次性成本显著降低，共同提高了盈利能力。

数据来源：三星电子，图表制作：CFM闪存市场

三星电子Q3存储业务通过扩大HBM3E的销售，并积极满足各应用领域的强劲需求，实现了创纪录的季度营收。HBM需求增长速度超过供应，目前HBM3E已量产并销售给所有相关客户，三季度HBM bit销量环比增长80%以上，且除部分产品外，大多数HBM产品销售已全面转向HBM3E。

关于HBM4，三星电子表示，正如7月底业绩发布会所述，目前已完成产品开发并向所有客户交付样品，目前已根据客户的订单进度做好了量产准备。值得注意的是，近期近期客户对GPU性能的竞争日益激烈，主要客户正调整原定计划，对HBM4的性能提出了更高要求，而三星电子在HBM4研发初期就已充分考虑到了这些需求，目前交付给客户的样品能以低功耗实现超过11Gbps的性能。三星电子进一步表示，明年 HBM生产计划比今年大幅扩大，但已经确保了计划数量的客户需求。随着不断收到额外的客户需求，三星电子正在内部审查增加 HBM 产量的可能性。

四季度，三星电子将积极响应人工智能和传统服务器市场的需求，推出HBM3E、高密度eSSD和其他前沿产品。此外，三星电子还将继续扩大高附加值服务器内存产品的销售，例如128GB及以上容量的DDR5内存以及24GB GDDR7产品。

三星电子计划2025年投资约47.4万亿韩元（约合333.3亿美元）用于设施建设，其中DS部门投资40.9万亿韩元（约合287.6亿美元），以改造先进工艺并补充现有生产线，从而应对市场对高附加值产品的需求。

展望2026年，三星电子存储业务将优先扩展具有差异化性能的HBM4业务，同时扩大HBM的销售规模以应对不断增长的人工智能需求。值得一提的是，市场对HBM4的需求预计也将持续增长，三星电子计划积极响应并扩大1c DRAM产能。此外，三星电子还将着力拓展DDR5、LPDDR5x和高密度QLC SSD等高附加值产品的销售。

三星电子内存部门副总裁金在俊在财报电话会议上表示：“2026年对存储器需求将比往年更强劲、更快，考虑到三星电子的投资和产能扩张计划，预计明年主要客户需求将超过自身的供应。”