据Etnews报道，SK海力士正在加快推动利川“ M16”工厂的运营，目前该工厂还在建设中，安装设备后计划于2021年1月投产，初期12英寸晶圆产出1.5万-2万片/月，或用于扩大新一代DDR5产量，以及为导入EUV工艺做准备，满足DRAM市场需求。

来源：SK海力士

三星DRAM率先导入EUV，SK海力士、美光或跟进步伐

2020年三大原厂三星、美光、SK海力士等DRAM技术主要是从1ynm全面向1znm推进，这也是DRAM第三代10nm级技术，第四代10nm级之后，因为EUV技术采用的光波长仅为13.5nm，比ArF（193nm）短14倍，能够将图案分辨率降低到10nm以下，所以原厂DRAM正在考虑导入EUV工艺。

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上个月，三星电子已经成功出货了100万个业界首款基于极紫外光（EUV）技术的10nm级（D1x）DDR4模块，以克服DRAM技术扩展方面的挑战，同时满足高端PC、移动、企业级服务器和数据中心应用。

三星下一代DRAM将是第四代10nm级（D1a）或更先进的14nm技术，预计将从2020年开始批量生产基于D1a的DDR5和LPDDR5，这将使12英寸晶圆的生产效率提升一倍，开启EUV技术全面导入DRAM生产的时代。

来源：网络，EUV光刻机设备

EUV设备大厂ASML在2019年Q4季度报告中表示，全年EUV光刻机订单量达到了62亿欧元，总计全年出货26台EUV光刻机，比2018年的18台有了明显增长，预计2020年交付35台EUV光刻机，2021年达到45台-50台的交付量。ASML正在研发新一代EUV光刻机EXE:5000系列，与之前的光刻机相比，分辨率提升了70%左右。

ASML在2019年EUV光刻机订单的增加主要依赖于三星、台积电等7nm处理器导入EUV工艺大规模量产，之后的EUV光刻机的需求将会来源于DRAM。之前就有报道称，SK海力士已向ASML下单了用于DRAM量产的EUV设备，计划在新建的利川M16工厂中建设EUV专用产线。

美光于2019年开始大规模生产1Znm 16Gb DDR4产品，2020年1月1Znm DDR5产品送样。根据美光DRAM技术规划，下一代DRAM微细化技术被命名为1α,1β和1γnm，正在评估EUV的导入时间节点。原厂若陆续导入EUV工艺，DRAM产能激增是必然结果。

三星、美光、SK海力士新工厂投产将接踵而至！

SK海力士于2018年宣布投资3.5兆韩元在京畿道利川新建这座M16存储器工厂，以应对不断增长的存储需求，2018年底开工，预计2020年10月竣工，计划2021年生产下一代超纳米级DRAM。

三星新建成的平泽2号工厂是NAND Flash和DRAM混合产线，与平泽一期工厂的规划大体一致。三星计划是在2020年运营平泽2号工厂，但尚未确定大规模生产的时间。

美光在台湾地区扩建的A3工厂于2019年动工，将于2020年第 4 季完工，主要是扩大无尘室以容纳更多的设备，并且进行设备升级，后续A5厂将视市场需求建厂，逐步扩增产能，为下一代DRAM芯片的生产准备。

根据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据，2019年半导体存储市场规模达1080亿美元，其中DRAM销售额达620亿美元，占比超过50%，也是三星、美光、SK海力士的主要营收来源。

当前，受“疫情”全球爆发的影响，导致海外市场需求降到“冰点”，海外也频频出现企业工厂“停工”，对全球消费类市场供需产生的冲击较大，但原厂对于长远的存储产业发展依然乐观，尤其是对服务器市场和5G手机需求增长的期望甚高，再加上线上教育、远程办公等带动PC需求增加，待“疫情”过后，认为全球产业链将重启成长的动能。

不过，无论是新工厂投产，还是导入EUV工艺，原厂DRAM产能会激增，经历“疫情”的冲击后，存储市场需求能否快速恢复动力还有待观察，而市场DRAM产能过剩的几率也会大增。