消息称SK海力士HBM4良率突破70%

存储器 网络 M 2026-11-12 09:56

据韩媒Chosunbiz援引半导体行业消息,SK海力士的HBM4良率近期已突破70%。不过,SK海力士尚未正式公布具体的良率数据。

与标准DRAM不同,HBM需要经过从单芯片制造到堆叠、封装和最终检测的多道工序。如果在这一过程中出现缺陷,可能会造成损失,包括之前阶段投入的成本。这种结构决定了良率越低,为了获得相同数量的合格产品,就必须投入更多的生产资源,从而导致更高的制造成本。在相同的计算标准下,良率从60%提高到70%,意味着在相同的生产投入下,合格产品的产量大约增加16.7%。

三星电子和美光科技也正在加速推进HBM4市场布局。据业内人士观察,三星电子的HBM4芯片良率在去年9月已提升至80%左右。然而,由于各公司良率计算标准和测量时间可能存在差异,仅凭公开数据难以判断哪家公司的产能更具竞争力。此外,HBM良率的计算标准会因制造工艺阶段的不同而有所差异,因此在比较这些数据时需要谨慎。

业内人士认为,HBM4的初期量产良率和稳定的供应能力是决定其未来市场份额的关键因素。提高HBM4的良率与向包括NVIDIA在内的主要AI半导体客户供货的竞争力直接相关。随着AI加速器性能的提升以及对内存带宽和能效需求的增长,在满足客户性能和质量要求的同时稳定供货的能力被视为一项关键的竞争优势。

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