据韩媒zdnet报道,三星电子和SK海力士计划从2027年第二季度起,面向英伟达大规模量产并出货第六代高带宽内存HBM4的8层产品。目前,两家公司的HBM主力量产产品仍是HBM4 12层。
调整背景:英伟达重新评估Rubin Ultra内存方案
此次新增8层产品供应计划,与英伟达调整下一代AI加速器Rubin Ultra的内存配置有关。英伟达最初计划为Rubin Ultra搭载第七代HBM4E 12层产品,但自2026年第三季度起,开始并行评估多种方案,包括HBM4E 8层、HBM4 12层和HBM4 8层。
知情人士称,英伟达可能根据采用Rubin Ultra的NVL机架级系统规模,混合配置HBM4 8层与HBM4E 8层。虽然2026年HBM4 12层仍是主要供应规格,但从2027年中期开始,8层产品的占比预计将明显扩大。
调整原因:散热、良率与供应稳定性
英伟达调整方案主要出于三方面考虑:
散热压力:HBM4的I/O接口宽度较上一代翻倍至2048位,更高堆叠层数会带来更大的热密度和系统散热压力。
良率问题:堆叠层数越高,后段制造环节的累计损耗越大,12层产品的良率提升难度明显高于8层。
供应稳定性:2027年整体DRAM供应仍偏紧,降低单堆叠层数可以在同等DRAM晶圆产出下生产更多HBM堆栈,提升GPU交付规模。
供应链进展:8层产品仍需单独认证
三星电子和SK海力士正在为扩大2027年HBM4 8层出货做准备,包括零部件与材料供应、质量测试等。目前两家公司已完成英伟达对HBM4 12层产品的认证,但8层产品仍需单独接受认证。
业内人士表示,此前市场曾预期2026年下半年即可开始供应8层产品,但实际进度有所延后。不过,8层产品的认证难度低于12层,出现额外变数的可能性较低。

