消息称英伟达已重启Rubin CPX计划，以HBM4替换GDDR7

中兴通讯终端事业部总裁、努比亚技术有限公司总裁倪飞发文称，努比亚 NaviX Ultra 已正式拿到入网许可，并宣布豆包手机（预计指努比亚 NaviX Ultra）计划 9 月开售。

美光表示将向中国台湾地区员工发放历年最高的绩效奖金，具体激励奖金分红方案预计在 10 月公布，在此之前将持续通过既有沟通渠道与团队成员保持对话。

据媒体报道，英伟达已经重新启动此前搁置的Rubin CPX项目，预计明年一季度投产。相较于先前设计，新版CPX大幅强化预填充(prefill)效能，并对其规格和机架架构作出重大改动。DRAM规格由原来采用128GB GDDR7改为采用168GB HBM4，机架改用独立MGX ETL设计，客户可选64/128/192/256颗GPU配置，每64颗构成一个机架模组，由八个运算托盘（各含8颗CPX）与一个交换托盘组成。

据媒体报道，台积电在将高带宽内存（HBM）与人工智能（AI）加速器相结合的高级封装中，预计短期内仍将采用现有的微凸点封装技术，而非混合键合技术。主要原因是在良率、检测和量产方面难以轻易放弃已获验证的方案。考虑到材料开发周期，预计更精细的微凸点将持续用到第四代后期至第五代初期的HBM中。据悉，台积电已向材料和设备合作厂商要求开发5微米（μm）级接合和底部填充技术，为进一步缩小目前先进封装中使用的微凸点尺寸。韩国和日本的供应链已开始投入开发，预计5微米级凸点的量产将于后年下半年实现。

Google 供应链基础架构资深总监Nikhil Cherian 近日在某高峰论坛上指出，DRAM供给相当紧张，Google已开始把退役服务器中的DDR4重新回收利用，将DDR4整合进最新世代的AI服务器中，更坦言即便这样还是不够，呼吁存储厂必须快速扩产。

Nikhil Cherian直言，对云端服务厂商而言，若投入数十亿美元建置的AI处理器，因等待存储频宽而闲置，就等同大量运算资本支出遭到浪费，因此Google现阶段不是单纯在意存储器价格，而是更在意有没有足够的存储器，让昂贵的AI芯片持续维持高度运算。

据韩媒报道，三星电子MX（移动体验）事业部为提升其Galaxy系列设备的盈利能力，正寻求采购渠道多元化，以减少对集团内部零部件的依赖。该事业部已将美光、铠侠列为主要供应商。同时，MX事业部正在考虑将京东方的OLED面板应用到其高端S系列手机中。

龙芯中科近日就23亿元定增计划回复交易所问询，并披露募集说明书修订稿。根据方案，龙芯中科拟向不超过35名特定对象发行不超过4010万股股票，募集资金总额不超过23亿元。资金将主要投向四大领域：基于Xnm工艺的信息化芯片研发及产业化项目（9.71亿元）、基于Xnm工艺的CPU关键核心技术研发项目（4.85亿元）、基于Xnm工艺的通用GPU关键核心技术研发项目（3.60亿元），以及补充流动资金（4.83亿元）。龙芯中科表示，通过本次募投将形成"CPU+GPU"全栈产品矩阵，分桌面CPU、服务器CPU、通用GPU三条主线推进。

戴尔管理层在最新财报电话会议上表示，企业正加快数据中心现代化改造，AI尤其是智能体工作负载正在形成新的基础设施需求。基于当前订单和需求，公司将2027财年全年营收指引中值由1670亿美元上调至1920亿美元，AI优化服务器全年营收预期由600亿美元上调至740亿美元。

在被问及当前最主要的供应限制时，戴尔副董事长兼首席运营官杰夫·克拉克称：“限制因素依然如旧，就是DRAM、DRAM、DRAM，其次是NAND、NAND、NAND。”

普华永道预计，为满足全球不断增长的人工智能(AI)需求，到2050年全球数据中心累计支出将达到31.6万亿美元，投资规模将超过铁路、互联网和电气化等历史性基础设施建设浪潮。报告称，如果AI普及速度超过其“基准情景”预期，未来约25年的数据中心支出甚至可能达到50万亿美元。相比之下，美国国内生产总值(GDP)目前约为30万亿美元。随着消费者、企业和政府越来越多地使用AI，微软、亚马逊等科技巨头以及规模较小的数据中心运营商正快速在全球建设新的算力设施。大部分投资将用于数据中心的内部设备，包括AI芯片、存储芯片、网络设备和服务器。

据媒体报道，台积电的CoWoS订单已排满至2027年，部分客户甚至需要等待一年以上才能拿到订单。在台积电供应瓶颈持续的情况下，英特尔的新技术作为替代方案正受到关注。据悉，联发科在近期财报电话会议上正式宣布，计划同时采用CoWoS和EMIB-T技术，大规模开发人工智能专用集成电路（ASIC）；博通和Meta也在考虑从CoWoS过渡到EMIB以降低成本，而谷歌和英伟达也对EMIB-T表现出浓厚的兴趣。

Omdia数据显示，2026年第二季度拉美地区智能手机市场出货量同比下降12%至3,030万部。DRAM和NAND成本上涨逐步传导至零售价格，对入门级设备的需求影响最为明显。厂商和渠道商此前通过提前备货和库存缓冲，在第一季度部分抵消了成本上涨的影响。但进入第二季度，这些缓冲作用有所减弱，市场低端需求面临更大压力，而中端、高端和高端旗舰市场表现则相对更具韧性。

戴尔科技2027财年第二季度（截至2026年7月31日）AI服务器方面，营收达到164亿美元，同比增长100%，环比几乎持平。虽然增速较Q1的757%有所放缓，但绝对规模持续扩大，增长主要体现在订单与积压。当季斩获创纪录的609亿美元AI服务器订单。过去12个月，戴尔AI服务器订单累计已经超过1300亿美元。季末积压订单高达950亿美元，较Q1末的513亿美元几乎翻倍。AI基础设施客户数量已突破6500家，覆盖新云平台、主权客户和企业客户。

传统服务器与网络方面，营收达到105.3亿美元，同比暴增122%，增速甚至超过AI服务器，成为本季度最大的"意外惊喜"。戴尔首席运营官Jeff Clarke在财报电话会上表示："过去两个季度，戴尔传统服务器和网络业务的收入，已经接近公司历史上任何一个完整财年的水平。"他解释称，随着AI工作负载从训练、推理进一步向智能体（Agentic）应用扩展，企业对CPU计算能力的需求也随之增加，从而拉动传统服务器需求。在过去两个季度戴尔传统服务器市场份额提升了 超过10个百分点。

据外媒报道，谷歌人工智能基础设施负责人表示，谷歌正在加快开发和推出其定制芯片的步伐，将每代芯片的周期从两年改为每年推出两款甚至更多芯片，以在人工智能竞赛中保持领先地位。

据韩媒The Elec报道，近日当被问及公司是否考虑在日本建设半导体工厂时，SK集团董事长崔泰源表示：“我们正在进行评估，待讨论结束后将发布公告。”据悉，宫城县已提议将位于大平村第二仙台北部核心工业园区内一块约30万平方米的地块作为SK海力士工厂的潜在选址。关东、北海道和九州地区也被认为是SK海力士在日本设立生产基地的潜在地点。SK海力士表示，正在考虑在日本投资建设半导体工厂，公司正评估各种可能性，但尚未做出任何决定。该公司表示指出，董事长崔某并未提及建立合资工厂、具体生产产品或具体的投资地点。

韩美半导体推出HBM4生产设备“TC Bonder 4”和新一代HBM生产设备“Wide TC Bonder”。随着全球存储器厂商今年开始量产HBM4，“TC Bonder 4”的供货量正在增加，而“Wide TC Bonder”计划于明年发布。“Wide TC Bonder”支持更大尺寸DRAM芯片的HBM生产，能够随着芯片面积的扩大稳定增加TSV和I/O数量，从而相比传统机型提升存储器容量和带宽。

兆易创新9月1日召开2026年半年度业绩说明会。DRAM方面，公司预计DRAM产品在下半年还会延续上涨的态势，价格会转为温和上行。展望2027年，DRAM行业增量产能释放相对有限，DRAM供应的紧张局面不会明显缓解，行业景气周期相对较长，产品价格预计呈高位震荡态势。NAND方面，公司预计NOR Flash产品价格温和上涨预计仍将持续一段时间，其中大容量产品价格涨幅相对明显；SLC NAND Flash供应短缺目前仍未出现显著缓解，公司预计其景气周期至少延续至2027年全年。

当地时间9月1日，美股三大股指集体收跌。截至收盘，道琼斯工业平均指数跌0.79%，报52766.88点；纳斯达克指数跌1.03%，报26099.77点；标普500指数跌0.71%，报7631.47点。其中，大型科技股多数收跌，英伟达、亚马逊、微软、谷歌A、谷歌C均跌超1%，高通、AMD跌超2%，苹果涨超2%；存储板块普遍收跌，SK海力士、美光跌超2%，闪迪、希捷跌超1%，西部数据跌0.02%。

9月1日，华为、小米、荣耀同步上调多款在售机型官方售价，线上商城与线下门店统一执行新价，整体涨幅在200至1000元之间。具体来看：华为Mate 80全系上调800元，Mate 80 Pro及Pro Max涨幅达1000元，畅享90 Pro Max上调200元；小米17系列涨价200至500元，REDMI K90 Max和K90至尊版上调400元；荣耀Magic8系列起涨300元，Power2也出现明显上浮。魅族则发文回应称，涨价是全行业共同面临的压力，经讨论决定再维持一个月原价，十一假期后跟进调价。

这是近两个月内行业第二轮大范围集中调价。背后主要原因在于上游存储供应链受AI算力需求挤压，手机核心元器件采购成本持续攀升，厂商利润空间被严重压缩，跟涨成为普遍选择。

中微公司推出多款全新自主研发的高端微观加工设备，覆盖极高深宽比刻蚀、等离子体增强化学气相沉积、原子层沉积、金属薄膜沉积及碳化硅外延等关键领域。其中，在刻蚀产品方面，中微公司全新推出的Primo XD-RIE70到90比1极高深宽比刻蚀机，能够适配先进存储芯片的高端制造需求；薄膜沉积设备方面，本次推出的四款新品覆盖高端三维存储与先进逻辑芯片的核心薄膜工艺环节，其中Performo QuaStar是作为全新研发的先进PECVD系列设备，系列首款产品Performo QuaStar ON直面3D闪存制造的氧化硅/氮化硅叠层沉积工艺环节。

ASML近日透露High NA EUV（高数值孔径极紫外光刻机）最新进展，目前全球已有4家客户完成共10台High NA EUV装机并投入运作，另有3台正在出货及装机中，全球EXE系统累计曝光晶圆数已突破135万片。High NA EUV正迈向高量产阶段，并已首度应用于高量产逻辑产品，成为先进制程持续微缩的重要技术平台。