据日媒报道,美光日本法人高层Joshua Lee近日表示,美光日本广岛工厂将在2025年生产最先进存储产品「1γ」DRAM。此外,还计划在广岛工厂生产生成式AI用「HBM」。
日本经济产业省曾于10月宣布,将对美光位于日本的广岛工厂最高补贴1,920亿日圆(约合13.5亿美元)。美光则表明,包含广岛工厂在内、今后数年将在日本最高投资5,000亿日圆(约合35.2亿美元)。
美光日前发布的高效能与高容量存储新技术的发展愿景显示,美光预计将在2024年初,推出24GB 8-Hi HBM3E,提供每秒超过1.2TB的频宽,有望显著提升人工智能(AI)训练与推论工作负载效能;到2025年,美光将进一步强化HBM3E产品线,推出36GB 12-Hi HBM3E,存储容量增加但频宽不变;而预计将于2026年问世的HBM4将展现美光HBM技术真正的革新:采用2,048位元介面,每秒频宽可望超过1.5TB,容量介于36~48GB之间。紧随其后的则是2028年的HBM4E,频宽可达每秒2TB以上,容量介于48~64GB之间。

