今年NAND三大亮点:大容量、1ynm TLC、3D技术

存储器 中国闪存市场 Helan 2015-07-01 13:40

受智能型手机、平板等需求成长减缓影响,2015年NAND Flash市场成长动力来源于市场对大容量的存储需求,主要是eMMC和SSD容量的增加。受苹果iPhone 6、三星Galaxy S6、乐视超级手机乐Max等旗舰机增加128GB容量选择影响,中端市场智能型手机需求快速向32GB/64GB转移,同时苹果新MacBook推动PC客户端SSD以256GB为主流配置,再加上物联网趋势下的庞大数据量存储需求,以及智能家居、智能穿戴等需求增加,NAND Flash市场存储需求翻倍增长且应用领域在不断扩大。

为了应对2015年市场更大容量的存储需求,上游原厂三星、东芝/闪迪、美光、SK海力士利用先进1ynm工艺加快导入TLC,将每片晶圆产能再提高30%,且持续向1znm工艺发展,推升NAND Flash大容量规模化量产,预计2015年NAND Flash市场供应量将成长20%以上,2015年NAND Flash市场规模进一步扩大。

然而,随着2D工艺往1znm或以下发展,NAND Flash容量、性能、成本等缺乏竞争力,除了三星西安厂已量产3D V-NAND,再投资新建平泽工厂,东芝/闪迪、美光、SK海力士2015上半年均宣称将陆续从下半年开始量产3D NAND,也为3D NAND量产大手笔投资建厂,预计3D NAND 将在2016年开始出货,新建工厂将在2017年陆续投入生产,2018年3D NAND市占率可望达到40%,逐渐成为NAND Flash主流产品。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

简讯快报

更多