12月上旬NAND Flash合约价经历东芝(Toshiba)跳电事件影响而大涨10%后,下旬合约价回归平静,8Gb、16Gb、32Gb和64Gb等各容量的芯片的报价都是持平开出,加上年底将至,市场交易状况会趋于冷淡,但业者对于2011年第1季市场看法不悲观,主要是因为东芝1、2月NAND Flash产出会大量减少,预计系统大厂受到的影响较为显著,而整个需求端则端看平板计算机对于NAND Flash消耗量是否会持续扩大。
NAND Flash市场进入2010年底后非常不平静,东芝跳电事件逆转整个NAND Flash市场供需,市场对于未来1季的NAND Flash价格走势开始有所期待,加上众家品牌大厂相争推出平板计算机,预计会成为消化NAND Flash产能最主要的应用。
NAND Flash合约价上旬受到东芝跳电事件影响大涨10%,现货价格也持续上涨反应,但下旬之后逐渐回复平静,主要也是因为年底将至,因此买盘清淡所致,包括8Gb、16Gb、32Gb和64Gb等芯片都是持平开出,其中主流的16Gb和32Gb芯片报价分别为3~3.5美元,以及4~5美元。
模块厂表示,NAND Flash市场2011年会很热闹,供给端在三星电子(Samsung Electronics)、美光(Micron)、东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk)的扩产之下,NAND Flash产出会大幅增加,但相对地,需求端在智能型手机(Smart Phone)和平板计算机(Tablet)等应用对于NAND Flash用量也会大幅成长,在彼此相互角力之下,2011年价格很难预测。
模块厂进一步表示,以目前NAND Flash技术来看,三星和东芝虽然大力在推TLC芯片,但TLC芯片的质量太差,且读写次数很低,因此很难用在平板计算机上,还是要用MLC和SLC芯片才可,因此预计到了2011年,TLC芯片的解决方案还是只能用在快闪记忆卡和随身碟。
展望2011年第1季NAND Flash价格走势,业者认为可以持稳甚至小幅上涨,主要是东芝停电事件导致的供给端缺口仍在,对于2011年上半的NAND Flash价格,应该可以相当稳健,因为主要新产能的开出都会在2011年下半,因此价格压力测试点会是在下半年。