韩半导体厂海力士(Hynix)完成30奈米级记忆体制程开发作业,预计2011年第1季投入量产。海力士社长权五哲对外表示,30奈米级DRAM产品开发作业已按计画完成,2011年第1季将开始量产。目前南韩境内仅有三星电子(Samsung Electronics) 量产30奈米DRAM。
海力士2011年第1季投入30奈米级DRAM量产后,将能提升20~30%的价格竞争力,近来因DRAM价格下跌所引发的营收恶化疑虑也能获得缓解。
权五哲表示,DRAM价格跌幅比预期还大,营收和营业利益与第3季相比,难免会减少。虽然希望2011年第1季价格会反弹,但仍得观察价格流动趋势,目前正持续调降成本中。
他说,竞争业者的DRAM价格都已压低至现金成本(cash cost)以下,由于已没有调降的空间,在目前的情况下稍作调整,2011年第1季营收应不会太差。
对于2011年投资计画,他表示,目前公司投资计画仍在审议中,将以2010年的投资为基准视情况进行投资,尽量维持在相似的水准。海力士每周都会视情况修正经营方向,因此拟定1年固定计画并没有意义。
日本东芝(Toshiba)的快闪记忆体(NAND Flash)产线跳电事件使海力士间接受惠。权五哲表示,由于跳电效应,快闪记忆体价格有! 些微上升,但东芝未公布详细规模,因而无法得知对业界的影响范围。
另一方面,以目前的情况来看,海力士至2010年底前仍无法找到合适的股份收购者。权五哲表示,海力士的股东团未收到其他业者提出的股份收购申请书。