据报导,由于2Gb DRAM产品价格较2颗1Gb DRAM产品价格低廉,因此近来南韩正掀起世代交替风潮,纷纷提升2Gb产品产量。生产2Gb产品所使用的微细制程也较先进,南韩业者不仅可借此主导市场,由于其收益性较1Gb更高,将能减缓近来DRAM价格暴跌的影响。
据统计,2Gb DDR3 DRAM现货价格为1.94美元,较2颗现货价格为1.15美元的1Gb DDR3 DRAM便宜近16%。
2010年10月初,因现货价格因素开始产生世代交替,使价格差异逐渐扩大。半导体业者与主要贸易厂商的固定交易价格也接近Bit Cross现象。然而与差异逐渐扩大的现货价格不同,2Gb DDR3 DRAM固定价格维持在1Gb DDR3 DRAM固定价格2倍,仍未产生倒向一边的现象。
南韩业者表示,大容量、高规格的应用程式数量逐渐增加,顾客对尺寸维持原样但能提供2倍容量的产品需求也与日俱增。微细制程技术渐趋稳定及大容量产品价格调降等因素,将会诱导DRAM业者进行世代交替。
若产生Bit Cross现象,就市场的角度来看,当然会购买每位元单价较低的大容量产品,进而带动世代交替。而对半导体业者来说,在同样的晶圆(wafer)上制造2Gb? ~比制造1Gb产品效益更高,惟关键在于其微细制程技术。
南韩业者将以微细制程技术为基础增加2Gb产品产量,并加速进行1Gb至2Gb DRAM的世代交替。三星电子(Samsung Electronics)目前主要以40奈米制程量产2Gb DDR3 DRAM,且已有部分产品采用30奈米制程制作。海力士也自2009年底开始以40奈米制程量产2Gb DDR3 DRAM。三星和海力士计划于2010年底将2Gb产品出货量提升至整体DRAM产量的50%。