美系内存大厂美光(Micron)看好未来平板计算机、固态硬盘(SSD)等NAND Flash相关应用,未来景气会持续复苏,供给有机会呈现吃紧状态,因此持续扩产;美光的新加坡12吋NAND Flash晶圆厂预计在年底前完成机器设备装置,2011年目标是月产能达10万片,但在此座新加坡厂中,既有的合作伙伴英特尔(Intel)并未参与设备投资,未来双方合作动向深受市场关注。
美光在2011年第1季资本支出为5.7亿美元,预计2011年全年资本支出将达24亿~29亿美元,实际金额将视市场景气状况而定。再者,美光2011年第1季研发费用约1.85亿美元,全年研发费用约1.95亿~2.05亿美元。
美光与英特尔合资成立IM Flash专门从事NAND Flash芯片生产制造,随着NAND Flash产业景气复苏,包括三星电子(Samsung Electronics)、东芝(Toshiba)、新帝(SanDisk)等都宣布要盖新的NAND Flash晶圆厂,以因应2011年NAND Flash相关产品需求爆发,而美光的新加坡厂也开始动起来。
美光新加坡厂预计在2010年底前就会完成机器设备的装置,2011年将正式开始投产,初期目标订立达到此厂房50%的产能,意即单月产能约10万片。
不过,目前此座新加坡厂的设备投资中,既有的合作伙! 伴英特尔并未参与投资,未来的产能分配状况,美光并未进一步说明,市场认为未来此座厂的产能将全数归属美光。
再者,市场对于美光和英特尔针对NAND Flash产业未来的策略,未来是持续并肩作战?或是可能分道扬镳?一直都有很多讨论声浪,主要的杂音是来自于NAND Flash产业价格波动性太大,现在生产NAND Flash利润与当初IM Flash刚成立时,根本无法相比;但美光则强调英特尔仍是IM Flash美国厂的合资伙伴。
针对各家内存大厂都将目光放在NAND Flash产业上,主要也是因为DRAM产业供过于求情况实在太严重,美光自己预估从2010年12月到2011年2月,DRAM价格会再修正25%,意即市场至少需要在1季的时间来消化过多库存,以及等待终端需求复苏。
相比起来,NAND Flash产业应用多元化,则是相当吸引人,包括智能型手机、平板计算机用的内嵌式内存eMMC、SSD等,都是消耗高容量NAND Flash内存产能,至少从16GB或32GB起跳,比起过去快闪记忆体或随身碟8GB就算是高容量,未来NAND Flash应用相当值得期待。
美光在NAND Flash产业的布局上,不但有NAND Flash芯片生产,也有品牌记忆卡厂Lexar,在新产品eMMC、SSD等产品在线也布局完整;再者,美光在34奈米和25奈米制程持续领先同业,更在技术上也不断更新,日前更推出ClearNAND技术,解决许多芯片问题,并使旗下产品线更完整。