美光:12月至2月DRAM、NAND报价将跌25%、10%

存储器 中国闪存市场 Helan 2010-12-23 11:19
美国内存大厂美光(Micron Technology Inc.)于22日美股盘后公布2011会计年度第1季(2010年9-11月)财报时指出,本季(12月至2011年2月)DRAM、NAND Flash报价预估将分别较上季再下滑25%、10%。
据22日报导,美光执行长Steve Appleton在财报电话会议上指出,英特尔(Intel)并未参与IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的设备投资。换言之,美光将拥有IMFS所有产能。Appleton并且表示美光、英特尔仍是美国NAND Flash厂合资伙伴。
日前,韩国DRAM大厂Hynix也预期明年初DRAM报价将持续走跌,惟Hynix预期DRAM价格最快在2011年第1季触底,公司目前并无减产计划。Hynix约有80%营收是来自DRAM。
本月下旬合约价持续跌势,DDR3 2GB合约价续跌10%,1Gb低点来到0.9美元,预估DDR3 1Gb合约价将于2011年第一季,接近0.8美元落底。
预估明年下半年,DDR3 1Gb价格可望回到1.2美元-1.3美元价位。若需求成长力道不够强劲而使DDR3 1Gb价格持续低于1美元,将迫使部分成本结构不佳的DRAM厂进行大幅度减产,DDR3 1Gb价格在减产效应后,将回升到1.2-1.3美元价位。因此预估DDR3 1Gb价格将有3至6个月维持在1美元以下。
预期明年全年DRAM多处于供过于求的状况,目前法人针对明年四大台湾DRAM厂的营运预期皆偏向保守看待,预期无一台系DRAM厂2011年可以获利。

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