根据报导,东芝(Toshiba)将在2010年12月底,关闭日本三重县四日市的Fab 2,将NAND Flash生产资源都投入2011年开始营运的Fab 5,并计划在2011年开始将系统LSI芯片业务委外代工;不过内存业者表示,由于Fab 2是8吋晶圆厂,这2年贡献NAND Flash产能比重已相当少,东芝都将重心放在12吋晶圆厂身上,因此Fab 2的关闭并不会影响NAND Flash市场供需,反而是要提防三星电子(Samsung Electronics)和东芝2011年都扩产NAND Flash产能,要看应用端需求能否衔接上来。
东芝目前旗下有4座晶圆厂,Fab 1和Fab 2是8吋晶圆厂,Fab 3和Fab 4是12吋晶圆厂,2010年东芝决定兴建Fab 5,同样也是12吋晶圆厂; Fab 1和Fab 2由于是8吋晶圆厂,贡献NAND Flash产能比重已不大,Fab 3和Fab 4目前单月产能各约15万片,是东芝和合作伙伴新帝(SanDisk)在NAND Flash产能上最重要的生产基地。
东芝半导体事业的子公司社长小林清志接受外电专访时表示,将关闭旗下4座晶圆厂中的Fab 2,预计2010年12月底前会停止营运,未来生产资源将会放在较新的厂房Fab 4,以及2010年兴建、2011年即将完工的Fab 5。
内存业者指出,Fab 2是老旧的8吋晶圆厂,虽然外界表示此座厂房仍在生产NAND Flash芯片,但随着东芝12吋晶圆厂量产上轨道,Fab 2这2年对NAND Flash产能比重已相当少,不认为此座晶圆厂的关闭有助于逆转NAND Flash市场供需。
不过,下游业者也指出,NAND Flash价格跌跌不休的局面,已逼近上游厂的生产成本,其实NAND Flash大厂也撑得很辛苦,市场共识是2011年第1季NAND Flash价格如果在起不来,一旦跌破上游厂的现金成本,NAND Flash产业恐将掀起一股减产潮,但如果龙头厂三星不跟进减产,逆转市场供需的机率不大,恐要等到终端需求大幅出笼来刺激。
目前全球NAND Flash市占率中,三星的市占率有再度重回40%大关的希望,东芝则紧跟在后,2者相距不到5个百分点;追在后面的美光(Mi= on)、海力士(Hynix)、英特尔(Intel)等,市占率都不足以撼动NAND Flash双雄,目前在NAND Flash产业中,显而易见的是三星与东芝间的殊死战。
三星预计于2011年初完工的华城厂16产线将优先生产NAND Flash芯片,而东芝和新帝合资的Fab 5过去因为金融风暴而延宕扩产,今年好不容宣布要回复兴建,预计明年投入量产,在2大NAND Flash厂都有新厂房要加入战局的情况下,2011年NAND Flash市场会相当热闹。