x3和x4技术

半导体 中国闪存市场 Helan 2009-10-14 07:35
随著NAND Flash应用于各种电子产品,对于容量的要求也越来越高,此在NAND Flash架构由SLC (Single Level Cell)移转至MLC (Multi Level Cell)后,x3(3-bit-per-cell)和x4(4-bit-per-cell)技术陆续问世。
过去SLC架构是1个存储器储存单元(cell)中,存放1位元(bit)的资料,SLC芯片虽然价格较高,但具有读写速度快、寿命长和高稳定度等优点,而到了MLC时代,即是1个存储器储存单元中,存放2位元的资料,目前MLC比重在NAND Flash产业中,占有85%以上的产能,名正言顺登上NAND Flash技术的主流地位。
在MLC技术之后,2009年x3和x4存储器技术架构陆续问世,顾名思义是1个存储器储存单元中,存放3个或4个位元的资料,优点是容量大增,但缺点是读写速度变得很慢,且可读写次数也会大幅降低,目前仅适用于低速和低阶的随身碟和快闪记忆卡。
目前x3和x4存储器技术,领先者为东芝(Toshiba)和新帝(SanDisk),美光(Micron)也抢在年底前登场,就像过去SLC转MLC世代般,三星电子(Samsung Electronics)的速度落后,惟三星具有量产优势,市场也看好后来居上的能力,可望让导入x3技术的产品,更快普及于消费端,惟使用寿命短的问题,恐还是要经过消费者一段时间的试用后,才能反映真实情况。

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