恒忆、三星合推PCM

半导体 中国闪存市场 Helan 2009-09-07 09:31
    快闪记忆体市场中,除了Nor Flash以及Nand Flash两大产品之外,又有相变化记忆体加入(Phase Change Memory,PCM),由于PCM兼具Nand以及Nor的优点,目前Nor全球霸主恒忆(Numonyx)与三星电子已经携手开发PCM产品的市场规格,预计2010年将有产品问世,三星电子更预期该产品会成为该公司记忆体主力。
    相较于传统的Nor以及Nand快闪记忆体,PCM可以较低的功耗达到极快速的读写速度,并且可以达到一般在RAM中可见的位元(bit alterbility),恒忆表示,PCM兼具Nand以及Nor的优点,包括减少RAM的使用,以降低成本与用电量,同时也可以维持以RAM的速度读取内容。
    PCM可将程式码与资料分开,以确实储存程式码,特别适用于手机这类资料内容处理量较大的应用,由于PCM装置的类RAM功能,可逐一位元进程式设计变更,而不需要清除整段资讯,使PCM记忆体相较于其他记忆体,具备更快速的程式功能。
    三星电子与恒忆将共同开发PCM的市场规格,此共同标准计划预计将在2009年完成,两家公司预计2010年将会有相容装置问世。
   恒忆总裁暨执行长Brian Harrison表示,恒忆与三星电子共同合作,对于PCM技术发展、整体记忆体市场均是里程碑,共同规格可有效协助晶片组厂商,及整个产业体系中的其他厂商达成产品标准化,有助于催生新一代记忆体技术,可以嘉惠手机OEM,也惠及嵌入式系统与高阶运算装置及其客户。
    目前,恒忆90nm的PCM产品已经出货,45nm产品则预计在今年的第四季开始送样,另外,由恒忆主导的早期导入计划,已与十多家客户合作,其中不乏台湾厂商。
    而三星则预期PCM的潜力,认为三星与恒忆的合作开发,将以更稳定的方式导入行动环境,并预期PCM记忆体将成为三星的记忆体主力。
 
 

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