NAND Flash产业进入30奈米和40奈米制程世代效应浮现,由于高阶制程都以生产32Gb和64Gb高容量晶片为主,因此高容量产品单价明显受到压抑。值得注意的是,继东芝(Toshiba)的3-bit-per-cell的MLC产品率先量产后,美光(Micron)以34奈米制程推出的3-bit-per-cell产品也正式量产,宣布全球3-bit-per-cell时代的来临,且令全球震撼之处在于,美光同时将宣布进入20奈米制程世代,再度将三星(Samsung Electronics)和东芝甩在后头。
NAND Flash技术最早从SLC技术,每单位储存1个位元,而进展到MLC技术后,每颗NAND Flash晶片每单位储存2个位元,显示其中的记忆体容量加倍,而目前全球MLC和SLC技术产品的比重是9:1,然从2009年起,东芝率先量产3-bit-per-cell的MLC产品,意即在每单位晶片中,可储存3个位元,让NAND Flash记忆体的容量再加倍,成本再下降,将全球NAND Flash产业技术推向另一个全新层次。
继东芝的3-bit-per-cell产品量产之后,美光和英特尔阵营采用34奈米制程的3-bit-per-cell产品,也将于第4季正式进入量产,从32Gb晶片切入,此消息让业界相当震撼,因为龙头厂三星目前最头痛之处,也是最大隐忧在于,3-bit-per-cell技术上仍无法完全追上东芝,如今美光和英特尔又宣布3-bit-per-cell技术即将量产,想必会带给三星一定压力。
记忆卡业者指出,3-bit-per-cell产品的成熟和大量化,会让快闪记忆卡和随身碟产品的价格再下降,有机会刺激另一波终端需求出笼,但值得注意的是, 3-bit-per-cell产品虽然成本降低很多,但效能也较差,只适合用在中低价为的随身碟和记忆卡上,并无法用在固态硬碟(SSD)上,因此,未来3 -bit-per-cell和MLC应用的产品类别,仍是有区隔性。
美光记忆体事业部副总裁Brian Shirley表示,未来3-bit-per-cell产品会是产品蓝图中,相当重要的一块,也更重要的是,美光和英特尔除了在34奈米制程技术上领先外,将于下半年进入20奈米制程世代。
记忆体业者表示,美光和英特尔宣布将进入20奈米制程世代,无疑是对NAND Flash产业投下另一颗震撼弹,也会再度让东芝和三星绷紧神经,三星和东芝下半年才要量产30奈米产品,但美光却要进入20奈米世代,未来三星、东芝、英特尔和美光阵营间的差距会越来越小,竞争将越来越激烈。
惟对于终端消费者而言,未来购买NAND Flash相关产品,绝对是越来越便宜,且SSD成熟的时间点也越来越接近。