合作闪存芯片业务的英特尔 (INTC-US;Intel Corp.) 及美光 (Micron Technology Inc.﹔MU-US) 周二宣布,将投入开发高容量的 3-bit-per-cell (x3) NAND 闪存芯片,用于随身碟等设备。
这项使用 34 奈米制程的 x3多层单元 (MLC) NAND 技术,较目前一般标准的 2-bits-per-cell (x2) 技术压缩更多容量。不过美光表示,由于新技术尚有耐久性问题,因此初步仅使用于快闪记忆卡及随身碟等产品,而无法用于固态硬盘 (SSD)﹔但已可容许使用 32 GB 的芯片。
美光目前正在就新技术产品芯片进行测试,于第 4 季起即可量产。
今日消息,代表芯片业界对于开发 x3 NAND 芯片的竞争,正逐渐加温。由于内存业遭遇需求下滑危机,因此这项技术发展将是 NAND 产业下一步关键。
新帝 (SanDisk Corp.﹔SNDK-US) 及合作伙伴东芝 (Toshiba Corp.﹔6502-JP) 去年已计划使用 56 奈米制程,量产全球首创商业 x3 NAND 内存芯片。而今年稍早,二公司也提出 x3 及 4-bit-per-cell (x4) NAND 闪存的开发计划,随后以 43 奈米制程生产的 x3 NAND 也已出货。
研究公司 Objective-Analysis 分析师 Jim Handy 指出,业界正就谁能率先以次 40 奈米制程生产出x3NAND 芯片,展开激烈竞争,因该技术降低成本,能让成功者在获利上胜出。
除了上述二个合作团队以外,据传南韩的海力士 (Hynix Semiconductor Inc.﹔000660-KR) 及三星 (Samsung Electronics Co.﹔005930-KR),也分别计划投入 x3 NAND 生产行列。
不过有报导指出,由于 x3 技术控制器质量仍有问题,Lazard Capital Markets 分析师表示东芝的 x3 NAND 芯片滞销。尽管如此,新帝及东芝近期仍宣布将以次 35 奈米 CMOS (互补式金氧半导体) 制程,生产 32 GB 的 x3 芯片。此外东芝也已以 43 奈米制程,生产全球首创 64 GB 的 x4 芯片。