展望3Q09营运,由于Toshiba拟自7月起解除年初Nand Flash减产30%的动作,同时将增加委外封测的比重,预估来自Toshiba订单将成长20%,加上主要客户Elpida转进65nm微缩制程,因此整体3Q09产能利用率将持续向上攀升,预估营收季增率仍可维持5-10%。
预估DDR3比重4Q09将占30-40%,惟对营运提升幅度有限
Samsung企图策略性的将DDR3的价格压低至与DDR2相当,Elpida 2H09态度也开始转趋积极,力成预估DDR3 4Q09比重将迅速提升到30-40%。就后段封测而言,初期DDR3测试秒数约500秒,相较DDR2世代初期测试秒数高达1000秒以上几乎不可同日而语,所以就力成营运而言,DDR3比重提升与否,对其影响差异有限。
过去力成股价波动与DRAM报价连动性较高,由于3Q09起记忆体大厂将陆续转进新一代制程,将将导致DRAM产出增加,而受到NB 3Q09可能呈现旺季不旺下,恐不利整体DRAM价格表现,因此短期调降其投资评等由超越大盘调降为中立。
力成目前前四大客户分别为Elpida、力晶、Kingston及Toshiba,占营收比重分别为40%、10-12%、10-12%及9~10%。受惠DRAM价格回升,DRAM厂逐步恢复生产线,力成2Q09营运呈现逐月往上态势,公司4、5、6月营收分别为22.02亿元、24亿元、25.05亿元,累计2Q09营收71.08亿元,营收季增率达18.2%,优于原先成长10-15%的财测目标。其中2Q09封装产能利用率达80-85%,测试产能利用率将达75-80%,毛利率预估将超过20%。
在DDR3进度方面,上半年受限于客户Elpida转进比重有限,估计仅占2Q096营收的10%,与之前两季大致持平,由于目前Samsung企图策略性的将DDR3的价格压低至与DDR2相当, Elpida 2H09态度也开始转趋积极,力成预估4Q09比重将迅速提升到30-40%。 DDR3相较DDR2因具有运算速度快、及低耗电压(Low Power Consumption)等特性,目前深获CULV及部分Netbook机种所采用,因此2H09有机会慢慢成为DRAM主流规格。
而就后段封测而言,DDR3实际对其营运贡献并不大,封装上,DDR3较DDR2仅有Die Size较大以及Pin Count数多出20-30pins,不会改变原有的封装型式;在测试上,速度及功能测试将必须由不同测试机台分开来测,因此必须另外购买Verigy机台或T5503机台来测试速度,初期DDR3测试秒数约500秒,相较DDR2世代初期测试秒数高达1000秒以上几乎不可同日而语,所以就力成营运而言,DDR3比重提升与否,对其影响差异有限。
3Q09力成股价将难有突出表现,短期恐陷入趋坚整理格局,主要是基于过去力成股价波动与DRAM报价连动性较高(如图一),由于3Q09起记忆体大厂将陆续转进新一代制程,包括Micron阵营转进50nm制程、Elpida进行65nm微缩制程转进,都将导致DRAM产出增加,而受到NB 3Q09可能呈现旺季不旺下,恐不利整体DRAM价格表现,因此短期调降其投资评等由超越大盘调降为中立,目标价则由84元下修至68元(1.6X 10F BV)。
预估力成2009年营收281.86亿元(-9.63%YoY),税后净利46.03亿元(-29.66%YoY),毛利率22.27%,以目前股本63.08亿元计算,EPS7.3元。 2010年营收334.92亿元(+18.82%YoY),税后净利59.34亿元(+28.91%YoY),毛利率23.5%,EPS9.41元。