技报价显示DRAM 颗粒现货价格自 4 月 13 日的 0.95 美元上涨至 4 月 16 日的 1.13 美元,涨幅达 19%,据市场人士表示,由于 eTT (测试颗粒) 的主要供应者如力晶 (5346-TW) 和尔必达 (Elpida) (6665-JP),在短期间将停止颗粒出货至现货市场中,现货市场买家进场补货,拉高库存,带动 DDR2 1Gb eTT 价格一度上涨至 1.20 美元。
上周现货市场传出,尔必达将停止出货给台湾模组厂客户,力晶也决定到 6 月底前,将出货的数量控制在最低水位,影响所及,也让投机性买盘在现货市场中发酵,并让 DDR2 1Gb eTT 价格推升至 1.20 美元。
根据调查尔必达和力晶在现货市场中的市占率将近 60%,其中出货包含给最大的模组厂商金士顿 (Kingston),市场人士相信,由于现货市场的供给量大减,将有助 DDR2 1Gb 在 6 月或到第 3 季出现 1.5 美元的价格,尽管海力士 (Hynix) (000660-KR) 与南科 (2408-TW) 将持续供货到现货市场,但数量不多,将不影响整体价格上涨的动能。
至于合约价格方面,DRAM 原厂如南科宣布成功调涨了 4 月下旬合约价约 5-10% 左右,报价显示出的 DDR2 2GB 模组价格,也从 16-18 美元区间上调至 17-20 美元,但是,DRAM 原厂也表示他们与少数电脑系统厂前已谈定 4 月整月的合约价格,所以价格不变。
DRAM 原厂希望在 5 月或 6 月,2GB 模组最低价调涨至 20 美元,换算成 1Gb 颗粒单价约 1.06 美元。但是电脑系统厂声称,目前仍有约 6-8 周的库存水位,并不认同价格大幅调涨。
根据统计由于 DRAM 原厂持续减产,供给与需求已趋于平衡。在现货未来供给大减下,现货 DDR2 1Gb 价格将由目前 1.0-1.2 美元的区间往1.2-1.5 美元移动,现货价上涨也将带动合约价在第 3 季上涨至 1.2 美元。

