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传SK海力士将在1a nm DRAM中引入EUV技术,代号“南极星”

编辑:Andy   发布:2020-05-29 16:27

据韩媒报道,SK海力士已经开始着手研发1a nm DRAM芯片,预计将会在制程中引入EUV光刻技术。

据悉,1a nm DRAM在内部的代号为“南极星”,工艺节点将在15nm左右。目前SK海力士DRAM营收主力为1ynm和1znm级,预计在今年下半年这两种制程产量将提高到DRAM总产量的40%。

在DRAM生产制程中,引入EUV技术已经成为大势所趋,三星电子已经于今年三月率先宣布已经成功出货100万个业界首款基于极紫外光(EUV)技术的10nm级(D1x)DDR4模块,SK海力士和美光作为全球排名第二第三的内存制造商,虽然目前并没有官宣引入EUV工艺,但是相关传闻也不曾中断。其中美光在今年投资者会议中强调了建设EUV Fab工厂的投资预算,不难推测,美光也在推动引入EUV制程。

EUV技术相较传统的光刻技术减少了多重图形制作中的重复步骤,并提高了图案的分辨率,从而提高了性能、产量并缩短了开发时间。

然而,其昂贵的费用一直是制约其大规模普及的根本原因,据悉,第一代 EUV设备价格高达1.2亿美元/台,除了如此高昂的设备投入之外,相关维护成本也十分巨大。即便如此,在技术就是王道的存储产业中,各厂商也将不遗余力追求更先进的工艺,确保自身的领先地位。

企业信息
公司总部
公司名称:
SK 海力士
地点:

韩国京畿道利川市

成立时间:
1983年
所在地区:
韩国
联系电话:
82316304114

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