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SK海力士:正转换产线扩增HBM产能

编辑:Andy 发布:2024-07-05 16:20

据韩媒报道,SK海力士为了将利川M10工厂部分产线转换为HBM,最近已新设相关工作小组。改建面积约3,300平方米,预计最快于2025年初设置符合HBM生产标准的无尘室,并引进各式设备。

据悉,NVIDIA持续向SK海力士要求扩大供应,目前SK海力士不仅需生产HBM3E,也须维持现有HBM3供应量,产能基本已达极限。

SK海力士日前宣布,将在未来5年内投资103万亿韩元(约合747亿美元),加强半导体事业竞争力,计划将约80%(82万亿韩元,约合595亿美元)投资于高带宽存储器(HBM)等AI相关领域。

据悉,SK海力士清州M15X将投资超过20万亿韩元,其中工厂建设费用为5.3万亿韩元。就M15X而言,半导体生产设施(Fab)于去年4月开始建设,计划于明年11月竣工后生产包括HBM在内的DRAM产品;龙仁半导体集群计划于明年3月开始建设第一座晶圆厂,并于2027年5月竣工;SK海力士计划投资38.7亿美元在美国印第安纳州建设一座封装工厂。

SK海力士还计划在明年左右开始生产第六代HBM HBM4,比计划提前一年。

 

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