SK海力士：正转换产线扩增HBM产能

据韩媒报道，SK海力士为了将利川M10工厂部分产线转换为HBM，最近已新设相关工作小组。改建面积约3,300平方米，预计最快于2025年初设置符合HBM生产标准的无尘室，并引进各式设备。

据悉，NVIDIA持续向SK海力士要求扩大供应，目前SK海力士不仅需生产HBM3E，也须维持现有HBM3供应量，产能基本已达极限。

SK海力士日前宣布，将在未来5年内投资103万亿韩元（约合747亿美元），加强半导体事业竞争力，计划将约80%（82万亿韩元，约合595亿美元）投资于高带宽存储器（HBM）等AI相关领域。

据悉，SK海力士清州M15X将投资超过20万亿韩元，其中工厂建设费用为5.3万亿韩元。就M15X而言，半导体生产设施(Fab)于去年4月开始建设，计划于明年11月竣工后生产包括HBM在内的DRAM产品；龙仁半导体集群计划于明年3月开始建设第一座晶圆厂，并于2027年5月竣工；SK海力士计划投资38.7亿美元在美国印第安纳州建设一座封装工厂。

SK海力士还计划在明年左右开始生产第六代HBM HBM4，比计划提前一年。