三星电子已完成14 纳米eMRAM开发，8纳米工艺已接近完成

据韩媒报道，三星电子副总裁 Jeong Ki-tae近日表示，汽车、高性能计算、人工智能等领域对嵌入式MRAM的需求不断增加。目前三星电子已完成了eMRAM（嵌入式磁性随机存取存储器） 14纳米工艺的开发，8纳米工艺也已接近完成。在此基础上，三星将继续开发直至5纳米工艺的技术。

Jeong Ki-tae表示：“随着安全性重要性的增加，对在系统半导体内部存储和处理数据的嵌入式存储器的需求正在逐渐增加，三星电子也在开发eMRAM。”

与 NAND 一样，MARM 即使在电源关闭时也能保留数据，并且具有比 NAND 写入数据快约 1,000 倍且功耗更低的优点。未来汽车行业的需求预计将增加。

三星电子自2019年起开始量产基于28纳米工艺的eMRAM，并供应智能手表。未来，三星计划到2027年继续追求工艺小型化，达到14纳米、8纳米、5纳米。

三星电子此前宣布将开发基于FinFET工艺、符合AEC-Q100（汽车安全标准）1级的14纳米eMRAM，目标是今年完成。

据Jeong Ki-tae介绍，“eMRAM的主要技术发展方向之一是提高与温度相关的操作可靠性。第一款产品工作温度是85℃，但目前开发的产品能够响应150-160℃，因此可以用于汽车。”