编辑：AVA 发布：2023-06-12 11:00
据外媒报道，TEL宣布成功开发出一种创新蚀刻技术，首次将电介质蚀刻应用带到了低温范围，使得刻蚀速率提高，能够在堆叠超过400层的3D NAND器件中生成通道孔。
该创新技术可在短短33分钟内实现10微米深的高纵横比蚀刻，与之前的技术相比，可将全球变暖潜能值降低84%。这项技术实现的潜在创新将刺激创建容量更大的3D NAND闪存。
图1显示了蚀刻后存储通道孔图案的横截面 SEM 图像，以及孔底部的 FIB 切割图像。图 2 是 TEL 的 3D NAND 闪存的示例。
据悉，东京电子团队将在6月11日至 6 月 16 日在京都举行的2023年 VLSI 技术和电路研讨会上提交一份关于其研究成果的报告。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 55500 | KRW | -0.54% |
| SK海力士 | 177500 | KRW | -1.83% |
| 铠侠 | 1833 | JPY | -1.19% |
| 美光科技 | 78.815 | USD | +2.42% |
| 西部数据 | 44.290 | USD | +0.98% |
| 闪迪 | 32.660 | USD | +1.71% |
| 南亚科 | 36.00 | TWD | -3.23% |
| 华邦电子 | 15.75 | TWD | -1.25% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 447.5 | TWD | -0.33% |
| 慧荣科技 | 50.105 | USD | +1.22% |
| 联芸科技 | 41.35 | CNY | +1.95% |
| 点序 | 55.4 | TWD | -0.18% |
| 国科微 | 68.93 | CNY | -0.68% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 77.91 | CNY | +3.33% |
| 希捷科技 | 90.895 | USD | -0.15% |
| 宜鼎国际 | 233.0 | TWD | -2.92% |
| 创见资讯 | 100.0 | TWD | -3.38% |
| 威刚科技 | 83.7 | TWD | -0.12% |
| 世迈科技 | 17.090 | USD | +0.12% |
| 朗科科技 | 25.09 | CNY | +4.24% |
| 佰维存储 | 62.33 | CNY | +1.32% |
| 德明利 | 127.50 | CNY | +0.73% |
| 大为股份 | 14.18 | CNY | +2.09% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 31.90 | TWD | -4.49% |
| 力成 | 108.5 | TWD | -2.69% |
| 长电科技 | 33.43 | CNY | +1.24% |
| 日月光 | 135.5 | TWD | -2.17% |
| 通富微电 | 25.62 | CNY | +0.99% |
| 华天科技 | 9.28 | CNY | -5.31% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
