编辑：AVA 发布：2023-06-12 11:00
据外媒报道，TEL宣布成功开发出一种创新蚀刻技术，首次将电介质蚀刻应用带到了低温范围，使得刻蚀速率提高，能够在堆叠超过400层的3D NAND器件中生成通道孔。
该创新技术可在短短33分钟内实现10微米深的高纵横比蚀刻，与之前的技术相比，可将全球变暖潜能值降低84%。这项技术实现的潜在创新将刺激创建容量更大的3D NAND闪存。
图1显示了蚀刻后存储通道孔图案的横截面 SEM 图像，以及孔底部的 FIB 切割图像。图 2 是 TEL 的 3D NAND 闪存的示例。
据悉，东京电子团队将在6月11日至 6 月 16 日在京都举行的2023年 VLSI 技术和电路研讨会上提交一份关于其研究成果的报告。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 54350 | KRW | -0.64% |
| SK海力士 | 199900 | KRW | +1.52% |
| 铠侠 | 2051 | JPY | -1.16% |
| 美光科技 | 94.830 | USD | -1.05% |
| 西部数据 | 49.840 | USD | +0.71% |
| 闪迪 | 37.840 | USD | -1.97% |
| 南亚科技 | 42.55 | TWD | -0.70% |
| 华邦电子 | 17.75 | TWD | -0.56% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 502 | TWD | -2.33% |
| 慧荣科技 | 65.070 | USD | +0.56% |
| 联芸科技 | 39.10 | CNY | +0.31% |
| 点序 | 57.9 | TWD | -0.52% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 73.38 | CNY | -1.40% |
| 希捷科技 | 108.860 | USD | +4.24% |
| 宜鼎国际 | 242.5 | TWD | 0.00% |
| 创见资讯 | 103.5 | TWD | 0.00% |
| 威刚科技 | 92.5 | TWD | +0.11% |
| 世迈科技 | 18.040 | USD | -0.33% |
| 朗科科技 | 22.27 | CNY | -4.01% |
| 佰维存储 | 58.53 | CNY | -2.03% |
| 德明利 | 111.45 | CNY | -1.28% |
| 大为股份 | 14.19 | CNY | -2.27% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 37.15 | TWD | -0.80% |
| 力成 | 119.5 | TWD | +1.27% |
| 长电科技 | 32.73 | CNY | -0.49% |
| 日月光 | 142.5 | TWD | -1.72% |
| 通富微电 | 23.69 | CNY | -1.46% |
| 华天科技 | 8.92 | CNY | -1.00% |
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