为满足三星需求，DS Techopia将NAND闪存芯片所需材料扩产50%

据韩媒报导，DS Techopia 计划在第三季度将其用于生产 NAND 闪存芯片的前体六氯乙硅烷 (HCDS) 的产能扩大多达 50%。

该公司表示，这样做是因为三星等客户正在扩大其整体 NAND 闪存产量。HCDS 用于在硅晶片上形成氧化硅 (SiO2) 和氮化硅 (SiN) 层。

该材料被认为比其他材料更稳定、更纯净，广泛用于生产 DRAM 和 NAND闪存芯片的低温沉积工艺。

DS Techopia 目前经营着两家生产 HCDS 的工厂，并计划增加第三家工厂，该工厂于2021年年中开始生产。

公司发言人表示，第三家工厂比前两家工厂略大，当所有三个工厂都满负荷运转时，该公司每年可生产价值高达900亿韩元的 HCDS。

三星已经完成了其在中国西安的二期工厂的扩建，该工厂的产能为每月 13 万片 12 英寸晶圆。比西安一期工厂每月12万片12英寸晶圆的产能还要大。三星在韩国的新工厂 P3 也有望在下半年投产时生产 176 层 NAND 闪存芯片。