南茂有机会争取长江存储3D NAND Flash封测大单

全球NAND Flash四大阵营即将面临新势力挑战，紫光集团旗下长江存储近期宣布在3D NAND Flash研发进度大为突破，相关业者透露，估计最快Q2~Q3可望进入量产阶段，将对美光(Micron)、三星、SK海力士、东芝(Toshiba)等龙头大厂造成威胁，也将有机会改变NAND Flash供需紧张的态势，市场人士推测，如台湾地区相关存储器封测业者南茂，因上海宏茂微电子与大陆客户关系良好，有机会早期抢下长江存储Flash封测订单。

紫光集团动作频频，尽管全球存储器阵营积极力抗，但大陆发展存储器业雄心已经让美、日、韩阵营必须严阵以待，长江存储在32层3D NAND研发速度比预期早1个月时间，样本提前试产。

熟悉半导体封测业者表示，长江存储投入3D NAND研发时间短，大陆NAND Flash研发主要为武汉新芯，尔后长江存储于2016年并购武汉新芯，武汉新芯成为长江存储100%持有子公司，目前南茂转投资公司的上海宏茂微电子，已经有承接部分武汉新芯NOR Flash订单，市场看好后续南茂集团也有机会进一步争取长江存储3D NAND Flash封测大单。

熟悉存储器封测业者表示，事实上，南茂今年下半年在存储器封测业务部分，受到美光订单移转给力成影响，DRAM、Flash封测业绩偏淡，加上美光也扩增在台湾地区的封测业务，南茂第4季营运表现估计仅能与第3季持平。

不过，南茂发言体系并不对特定客户发表公开评论。